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FOWLER-NORDHEIMとは 意味・読み方・使い方
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「FOWLER-NORDHEIM」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 13件
LOW VOLTAGE SINGLE TRANSISTOR FLASH EEPROM CELL USING FOWLER-NORDHEIM PROGRAMMING AND ERASE例文帳に追加
ファウラーノルドハイムプログラミング及び消去を利用する、低電圧単一トランジスタ型フラッシュEEPROMセル - 特許庁
The gate insulating film 6 comprises an FN(Fowler Nordheim) tunnel film 10 which is larger in permittivity than a silicon oxide film and has FN electric conduction characteristics.例文帳に追加
ゲート絶縁膜6は、酸化シリコン膜より誘電率が大きく、かつFN電気伝導特性を示すFNトンネル膜10を含む。 - 特許庁
A cell is programmed by hot channel electron injection and erased by Fowler Nordheim tunneling of electrons from the floating gate to the gate electrode.例文帳に追加
セルはホット・チャンネル電子注入でプログラムされ、浮遊ゲートからゲート電極への電子ファウラー・ノルデハイム・トンネリングで消去される。 - 特許庁
A cell is programmed by hot channel electron injection and erased by Fowler Nordheim tunneling of electrons from the floating gate to the gate electrode.例文帳に追加
セルはホット・チャンネル電子注入によりプログラムされ、浮遊ゲートからゲート電極への電子のファウラー・ノルデハイム・トンネリングにより消去される。 - 特許庁
The method of operating the flash memory device is one that devices are selectively programmed by using a channel hot electron injection and devices are erased by Fowler-Nordheim tunneling and hot hole injection.例文帳に追加
チャンネルホット電子注入を利用して素子を選択的にプログラムし、ファウラー・ノルドハイム・トンネリング及びホットホールの注入によって素子をイレースする動作方法である。 - 特許庁
To provide a single transistor electrically erasable programmable memory device capable of being programmed and erased using Fowler-Nordheim tunneling and capable of being operated using low voltages.例文帳に追加
ファウラーノルドハイムトンネリングを用いてプログラミング及び消去でき、更に、低電圧を用いて作動可能な、電気的に消去及びプログラム可能な単一トランジスタのメモリデバイスを提供する。 - 特許庁
To provide a nonvolatile semiconductor memory device, having a memory cell of Fowler-Nordheim (FN) current write erase which enables rapid read in which is effective for an EEPROM mixed loading device.例文帳に追加
本発明は、EEPROM混載デバイスに有効である高速読み出し可能なファウラー−ノルドハイム(FN)電流書き込み消去のメモリセルを有する不揮発性半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁
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「FOWLER-NORDHEIM」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 13件
In one of programming and erasing, electrons are injected into the charge trapping film 22 from the second gate electrode CG through the tunnel insulating film 23 by FN (Fowler-Nordheim) tunneling method.例文帳に追加
プログラムあるいは消去において、FNトンネル方式により、第2ゲート電極CGから電荷トラップ膜22へトンネル絶縁膜23を通して電子が注入される - 特許庁
Hereupon, the flow of the electrons in the film of the barrier insulation layer 6 is subjected to a Fowler-Nordheim(F-N) tunnel-current mechanism or a direct tunnel-current mechanism.例文帳に追加
ここで、バリア絶縁層6の膜中の電子の流れは、Fowler Nordheim(F−N)トンネル電流あるいは直接トンネル電流機構となる。 - 特許庁
High voltage is applied on both-end electrodes of the hollow structure 10 to generate Fowler-Nordheim tunnel current, and a semiconductor non-volatile memory writing and deleting information is made by injecting and discharging electrons.例文帳に追加
中空構造10の両端の電極に高電圧を印加してFowler−Nordheimトンネル電流を発生させ、電子を注入・放出させることにより、情報を書み込み・消去する半導体不揮発性メモリとする。 - 特許庁
In the carbon film being formed thin and long acicular, electric field concentration factor β in the Fowler-Nordheim formula is expressed by h/r, wherein h denotes a height up to the tip end at an arbitrary position and r denotes the radius, and the film has a shape in which the radius becomes smaller toward the tip end from an arbitrary position.例文帳に追加
細長い針状に成膜されている炭素膜において、ファウラノルドハイムの式における電界集中係数βが、任意の位置での先端までの高さをh、半径をrとして、h/rの式で表され、かつ、その半径が任意の位置から先端に向かうにつれて小さくなる形状を備える。 - 特許庁
In addition, a potential switch circuit 10 that can make the P well 9 in a floating state at erasure is provided and a potential switch circuit 11 that makes the potential of the N well 8 the same as a source diffused layer 7 to draw electrons by means of a Fowler-Nordheim tunnel current is provided.例文帳に追加
また、消去時にPウエル9をフローティング状態にすることが可能な電位切り替え回路10を設けるとともに、消去時にNウエル8の電位を電子をファウラ−ノードハイム電流によって引き抜くソース拡散層7と同じにする電位切り替え回路11を設ける。 - 特許庁
Prior to batch erasion, first voltage is applied to control gates 18 of all memory cells in a block to be erased, second voltage having polarity being reverse of the first voltage is applied to a second well, third voltage having the same polarity as the first voltage is applied to the first well, and write-in prior to erasion is performed by injecting electrons to a floating gate 16 by Fowler-Nordheim tunnel phenomenon.例文帳に追加
一括消去に先立って、消去すべきブロック内におけるすべてのメモリセルの制御ゲート18に第1の電圧を印加し、第2のウェルには第1の電圧と反対の極性の第2の電圧を印加し、第1のウェルには第1の電圧と同じ極性の第3の電圧を印加して、ファウラーノーデハイムトンネル現象により浮遊ゲート16に電子を注入することで消去前書き込みを行う。 - 特許庁
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ファウラーノルドハイム
日英・英日専門用語
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