Fowler Nordheimとは 意味・読み方・使い方

In one of programming and erasing, electrons are injected into the charge trapping film 22 from the second gate electrode CG through the tunnel insulating film 23 by FN (Fowler-Nordheim) tunneling method.例文帳に追加

プログラムあるいは消去において、ＦＮトンネル方式により、第２ゲート電極ＣＧから電荷トラップ膜２２へトンネル絶縁膜２３を通して電子が注入される - 特許庁

Hereupon, the flow of the electrons in the film of the barrier insulation layer 6 is subjected to a Fowler-Nordheim(F-N) tunnel-current mechanism or a direct tunnel-current mechanism.例文帳に追加

ここで、バリア絶縁層６の膜中の電子の流れは、Ｆｏｗｌｅｒ Ｎｏｒｄｈｅｉｍ（Ｆ−Ｎ）トンネル電流あるいは直接トンネル電流機構となる。 - 特許庁

High voltage is applied on both-end electrodes of the hollow structure 10 to generate Fowler-Nordheim tunnel current, and a semiconductor non-volatile memory writing and deleting information is made by injecting and discharging electrons.例文帳に追加

中空構造１０の両端の電極に高電圧を印加してＦｏｗｌｅｒ−Ｎｏｒｄｈｅｉｍトンネル電流を発生させ、電子を注入・放出させることにより、情報を書み込み・消去する半導体不揮発性メモリとする。 - 特許庁

In the carbon film being formed thin and long acicular, electric field concentration factor β in the Fowler-Nordheim formula is expressed by h/r, wherein h denotes a height up to the tip end at an arbitrary position and r denotes the radius, and the film has a shape in which the radius becomes smaller toward the tip end from an arbitrary position.例文帳に追加

細長い針状に成膜されている炭素膜において、ファウラノルドハイムの式における電界集中係数βが、任意の位置での先端までの高さをｈ、半径をｒとして、ｈ／ｒの式で表され、かつ、その半径が任意の位置から先端に向かうにつれて小さくなる形状を備える。 - 特許庁

In addition, a potential switch circuit 10 that can make the P well 9 in a floating state at erasure is provided and a potential switch circuit 11 that makes the potential of the N well 8 the same as a source diffused layer 7 to draw electrons by means of a Fowler-Nordheim tunnel current is provided.例文帳に追加

また、消去時にＰウエル９をフローティング状態にすることが可能な電位切り替え回路１０を設けるとともに、消去時にＮウエル８の電位を電子をファウラ−ノードハイム電流によって引き抜くソース拡散層７と同じにする電位切り替え回路１１を設ける。 - 特許庁

Prior to batch erasion, first voltage is applied to control gates 18 of all memory cells in a block to be erased, second voltage having polarity being reverse of the first voltage is applied to a second well, third voltage having the same polarity as the first voltage is applied to the first well, and write-in prior to erasion is performed by injecting electrons to a floating gate 16 by Fowler-Nordheim tunnel phenomenon.例文帳に追加

一括消去に先立って、消去すべきブロック内におけるすべてのメモリセルの制御ゲート１８に第１の電圧を印加し、第２のウェルには第１の電圧と反対の極性の第２の電圧を印加し、第１のウェルには第１の電圧と同じ極性の第３の電圧を印加して、ファウラーノーデハイムトンネル現象により浮遊ゲート１６に電子を注入することで消去前書き込みを行う。 - 特許庁