Hexamethyldisilaneとは 意味・読み方・使い方

To provide a gas jetting mechanism for uniformly jetting gas even for a comparatively wide plane and also provide a substrate processing apparatus for uniformly jetting a gas such as the gas mixing hexamethyldisilane to a semiconductor wafer and a substrate such as glass substrate by utilizing the gas jetting mechanism.例文帳に追加

比較的広い面に対しても均一に気体を噴射させることのできる気体噴出機構、および、この気体噴出機構を利用して、半導体ウェーハやガラス基板のような基板に、ヘキサメチルジシラン混入ガス等の気体を均一に噴射、処理することのできる基板処理装置を提供する。 - 特許庁

The silicon oxide thin film is formed in the presence of oxygen at ≤300°C by spraying a material gas obtained by vaporizing hexamethyldisilane onto a substrate placed inside a film-forming chamber while simultaneously applying an ion beam such as argon generated by an ion source onto the substrate at ≤300 eV .例文帳に追加

材料ガスとしてヘキサメチルジシランを気化せしめて得たガスを用い、該ガスを成膜チャンバー内の基板上に吹き付け、一方、イオン源によりアルゴン等のイオンビームを発生させ、該イオンビームを該材料ガスの吹き付けと同時に基板上に３００ｅＶ以下で照射し、酸素の存在下、３００℃以下で、酸化ケイ素薄膜を形成する。 - 特許庁

This method comprises employing a gas obtained by means of gasifying hexamethyldisilane as a material gas, and spraying the gas on a substrate in a film forming chamber, while generating an ion beam of argon from an ion source, and irradiating the substrate with the ion beam at 300 eV or less while simultaneously spraying the material gas, to form the SiC thin-film at 300°C or lower.例文帳に追加

材料ガスとしてヘキサメチルジシランを気化せしめて得たガスを用い、該ガスを成膜チャンバー内の基板上に吹き付け、一方、イオン源によりアルゴンのイオンビームを発生させ、該イオンビームを該材料ガスの吹き付けと同時に基板上に３００ｅＶ以下で照射し、３００℃以下でＳｉＣ薄膜を形成する。 - 特許庁