I miſの英語

I might have mis-read your email.発音を聞く 例文帳に追加

あなたのメールを読み間違えたかもしれない。 - Weblio Email例文集

The method also comprises steps of obtaining a mean value of the function r(V_gs1, δ_min), dividing the designing value of the channel width of the first MIS transistor by the mean value to obtain an effective value W_eff^i of the channel width of the second MIS transistor (step S19).例文帳に追加

関数ｒ（Ｖ_gs1，δ_min）の平均値を求め、これで第１ＭＩＳトランジスタのチャネル幅の設計値を除して、第２ＭＩＳトランジスタのチャネル幅の実効値Ｗ_eff^iを求める（ステップＳ１９）。 - 特許庁

Gate insulation films 9a of MIS-FETs (Qn1 and Qp1) of which an internal circuit is composed comprise oxidized silicon nitride films and gate insulation films 9b of MIS-FETs (Qn2 and Qp2) of which an I/O circuit is composed comprise laminated films of oxidized silicon nitride films and high dielectric films.例文帳に追加

内部回路を構成するＭＩＳＦＥＴ（Ｑｎ_1、Ｑｐ_1）のゲート絶縁膜９ａは、酸窒化シリコン膜で構成され、Ｉ／Ｏ回路を構成するＭＩＳＦＥＴ（Ｑｎ_2、Ｑｐ_2）のゲート絶縁膜９ｂは、酸窒化シリコン膜と高誘電体膜の積層膜で構成される。 - 特許庁

The MOS transistor 21 is used as a storage element, in consideration that the I_off leak phenomenon is stored in a P-type MIS transistor.例文帳に追加

このＩ_offリーク現象がＰ型ＭＩＳトランジスタに保存される性質ものであることを利用して、ＭＯＳトランジスタ２１を記憶素子として用いる。 - 特許庁

At a logic part A2 and an I/O part A3, a high dielectric-constant film 7 on a diffusion area 12b of the MIS transistor is removed and a silicide layer 14 with low resistance is formed on its surface.例文帳に追加

論理部Ａ２およびＩ／Ｏ部Ａ３では、ＭＩＳトランジスタの拡散領域１２ｂ上の高誘電率絶縁膜７を除去して、その表面に低抵抗のシリサイド層１４を形成する。 - 特許庁