I type semiconductorとは 意味・読み方・使い方

The semiconductor element is represented by a structure in which a third n-type GaN-type semiconductor layer 3, a first n-type GaN-based semiconductor layer 4, an i-type GaN-based semiconductor layer 5, a p-type GaN-based semiconductor layer 6, and a second n-type GaN-based semiconductor layer 7 are laminated on a substrate 1.例文帳に追加

基板１の上に第３ｎ型ＧａＮ系半導体層３、第１ｎ型ＧａＮ系半導体層４、ｉ型ＧａＮ系半導体層５、ｐ型ＧａＮ系半導体層６、第２ｎ型ＧａＮ系半導体層７が積層された積層構造で表される。 - 特許庁

An intermediate layer is formed at a prescribed region on the surface of the p-type nitride semiconductor region, and then an n-type or i-type semiconductor region is formed.例文帳に追加

ｐ型窒化物半導体領域の表面の所定領域に、中間層を形成して、その後にｎ型又はｉ型の半導体領域を形成する。 - 特許庁

Each light receiving element is provided with a semi-insulating semiconductor substrate 10, an n-type semiconductor layer 11, an i-type semiconductor layer 12 and a p-type semiconductor layer which are successively laminated on the surface of the substrate 10.例文帳に追加

各受光素子は、半絶縁性の半導体基板10と、この基板上に順次積層されたn型半導体層11、i型半導体層12およびp型半導体層を具えている。 - 特許庁

The solar battery is provided with a thin non-single crystal silicon semiconductor film 14 containing the I-type semiconductor layer.例文帳に追加

Ｉ型半導体層を含む非単結晶シリコンの半導体薄膜１４を設ける。 - 特許庁

A semiconductor laser section I, an optical modulator section II, and an isolation section III that separates the semiconductor laser section I from the optical modular section II are provided on a p-type InP substrate 2.例文帳に追加

ｐ型InP基板２の上に、半導体レーザ部I、光変調器部II、およびこれらを分離するアイソレーション部IIIが設けられている。 - 特許庁

The p-i-n diode has a diffusion prevention region on at least the end part of the intrinsic semiconductor layer side of the p-type semiconductor layer and the end part of the intrinsic semiconductor layer side of the n-type semiconductor layer.例文帳に追加

p-i-nダイオードは、少なくともp型半導体層の真性半導体層側の端部及びn型半導体層の真性半導体層側の端部に拡散防止領域を有する。 - 特許庁

The i-type semiconductor layer 16 has at least one corner 16e which does not come into contact with the p-type semiconductor layer 14.例文帳に追加

ｉ型半導体層１６は、ｐ型半導体層１４に非接触な角部１６ｅを少なくとも１つ有する。 - 特許庁

The semiconductor laser comprises on a substrate 11 an n-type cladding layer 12, an n-type guide layer 13, an i-type guide layer 14, an active layer 15, an i-type guide layer 16, an electron barrier layer 17, a p-type superlattice cladding layer 18, and a p-type contact layer 19.例文帳に追加

基板１１上にｎ型クラッド層１２，ｎ型ガイド層１３，ｉ型ガイド層１４，活性層１５，ｉ型ガイド層１６，電子障壁層１７，ｐ型超格子クラッド層１８およびｐ側コンタクト層１９を有する。 - 特許庁