MNAsとは 意味・読み方・使い方

MANUFACTURING METHOD FOR SPHALERITE TYPE MnAs DOT例文帳に追加

閃亜鉛鉱型ＭｎＡｓドットの作製法 - 特許庁

To manufacture an MnAs dot having a sphalerite type crystal structure which has been only a virtual one.例文帳に追加

仮想的な存在にすぎなかった閃亜鉛鉱型結晶構造を備えたＭｎＡｓドットを作製する。 - 特許庁

The surface of a GaAs substrate is sulfur termination treated and on the termination-treated substrate, an MnAs dot is grown by an MBE method to manufacture the MnAs dot.例文帳に追加

ＧａＡｓ基板表面を硫黄終端化処理し、ＭＢＥ法により、終端化処理された該基板上でＭｎＡｓドットを成長させることで、閃亜鉛鉱型の結晶構造を有するＭｎＡｓドットを作製する。 - 特許庁

It is found that MnAs having a hexagonal crystal structure normally forms a sphalerite type crystal structure by sulfur termination treating the substrate surface.例文帳に追加

基板表面を硫黄終端化することにより、通常は六方晶の結晶構造を有するＭｎＡｓが閃亜鉛鉱型の結晶構造を形成することがわかった。 - 特許庁

The semiconductor magneto-optical effect device has semiconductor multilayered reflection films 2, 6 which are formed on a semiconductor substrate 1 and formed as the upper and lower layers of a thin film consisting of a semiconductor/ferromagnetic metal composite material (GaAs:MnAs).例文帳に追加

半導体磁気光学効果装置において、半導体基板１上に形成されるとともに、半導体／強磁性金属複合材料からなる薄膜（ＧａＡｓ：ＭｎＡｓ）を挟んで上下に形成される半導体多層反射膜２，６とを具備する。 - 特許庁

To obtain a nonreciprocal optical element such as an optical isolator using Faraday effect by actualizing a diluted magnetic mixed crystal semiconduc tor which has larger magnetooptic effect than a diluted magnetic mixed crystal semiconductor based upon MnAs, MnSb, etc.例文帳に追加

半導体光集積装置及びその製造方法に関し、ＭｎＡｓ、ＭｎＳｂなどをベースとする希薄磁性混晶半導体と比較して大きな磁気光学効果を示す希薄磁性混晶半導体を実現し、ファラデー効果を利用する光アイソレータなどの非相反性光素子を得られるようにする。 - 特許庁