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機械工学英和和英辞典での「MOSFET inverter」の意味

MOSFET inverter


「MOSFET inverter」の部分一致の例文検索結果

該当件数 : 24



例文

The MOSFET of the rectifying circuit is simultaneously turned on with the MOSFET of the driving inverter circuit and turned off, earlier than the MOSFET of the driving inverter circuit within the range of a period (t) of (the resonance frequency)/2.例文帳に追加

そして整流回路のMOSFETは、駆動用インバータ回路のMOSFETと同時にオンし、共振周期/2の期間tの範囲内で駆動用インバータ回路のMOSFETより早くオフする。 - 特許庁

In the inverter circuit 120, a parasitic diode 131 of the SiC-MOSFET 130 is used as a flywheel diode.例文帳に追加

インバータ回路(120)は、SiC-MOSFET(130)の寄生ダイオード(131)が還流ダイオードとして使用される。 - 特許庁

Further, in the inverter circuit 120, synchronous rectification is executed to cause the SiC-MOSFET 130 to be turned on at a predetermined timing when a reverse current is applied to the parasitic diode 131 of the SiC-MOSFET 130.例文帳に追加

さらに、インバータ回路(120)では、SiC-MOSFET(130)の寄生ダイオード(131)に逆方向電流が流れる所定のタイミングでSiC-MOSFET(130)がオン状態となる同期整流が行われる。 - 特許庁

The inverter circuit (120) uses parasitic diodes (131) for the SiC MOSFETs (130) as reflux diodes, and conducts the synchronous commutation.例文帳に追加

インバータ回路(120)は、SiC MOSFET(130)の寄生ダイオード(131)を還流ダイオードとして使用し、同期整流を行う。 - 特許庁

In the resistor R1, one end is connected to a connection point between the MOSFET Qn1 and the inverter circuit U1, and the other end is grounded.例文帳に追加

抵抗R1は、一端がMOSFETQn1とインバータ回路U1との接続点に接続され、他端が接地されている。 - 特許庁

To provide an inverter device that can prevent the overheating and the breakage of a MOSFET when a reverse voltage application circuit is failed, and is improved in safety.例文帳に追加

逆電圧印加回路が故障した場合のMOSFETの過熱や破壊を防ぐことができる安全性にすぐれたインバータ装置を提供する。 - 特許庁

例文

The charge pump drive circuit 10A comprises a complementary inverter circuit including a P-channel type MOSFET 30 and an N-channel type MOSFET 31.例文帳に追加

本発明によるチャージポンプ駆動回路10Aは、Pチャネル型MOSFET30とNチャネル型MOSFET31とを備える相補型インバータ回路を具備する。 - 特許庁

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「MOSFET inverter」の部分一致の例文検索結果

該当件数 : 24



例文

An MOSFET (MP4) is provided as a breaking means which cuts off the current path from an MOSFET (MP2) to a memory cell (MC1) according to the output signal of an output inverter (INV3).例文帳に追加

出力インバータ(INV3)の出力信号に基づいて、MOSFET(MP2)からメモリセル(MC1)への電流パスを遮断するための遮断手段であるMOSFET(MP4)を設けた。 - 特許庁

The inverter device comprises a plurality of series circuits each composed of the IGBT serving as the upstream side along the application direction of a voltage, and the MOSFET serving as the downstream side; and the switching circuit 2 in which a mutual connecting point between the IGBT and the MOSFET in the series circuit is connected to a load.例文帳に追加

電圧の印加方向に沿って上流側となるIGBTおよび下流側となるMOSFETの直列回路を複数有し、これら直列回路におけるIGBTとMOSFETの相互接続点が負荷に接続されるスイッチング回路2を備えている。 - 特許庁

The input voltage regulating means 14 has a resistor 25 and an n-MOSFET 26 connected in series, and an inverter 27 connected between the connecting point of the resistor 25 and an n-MOSFET 26 and an input terminal 19 of the semiconductor integrated circuit device 11.例文帳に追加

前記入力電圧調整手段14は直列接続された抵抗25とn−MOSFET26と、抵抗25とn−MOSFET26の接続点と半導体集積回路装置11の入力端子19との間に接続されたインバータ27で構成されている。 - 特許庁

An inverter circuit 22 that connects in series a P-type MOSFET 18 and an N-type MOSFET 20 is connected in multistages, and the gates of the P-type MOSFETs 18 on the adjacent stages are connected and gates of the N-type MOSFETs on the adjacent stages are connected to configure a multistage output transistor.例文帳に追加

P型MOSFET18とN型MOSFET20を直列に接続したインバータ回路22を多段に接続し、隣接する段のP型MOSFET18のゲート間を接続すると共に、隣接する段のN型MOSFETのゲート間を接続して多段出力トランジスタを構成する。 - 特許庁

In a half bridge type inverter, which is combined with an n- channel MOSFET and a p-channel MOSFET, by adding a capacitor, resistance, or both between gate and drain of the p-channel MOSFET, it is constituted that circuit oscillation nature at the time of turning on the power supply is improved, and the starting nature of the lighting equipment is raised.例文帳に追加

nチャネルMOSFETとpチャネルMOSFETを組み合わせたハーフブリッジ型インバータにおいて,pチャンネルMOSFETのゲート−ドレイン間にコンデンサあるいは抵抗あるいは両方を追加することにより、電源投入時の回路発振性を改善し、点灯装置の起動性を向上させる構成とする。 - 特許庁

The nonvolatile latch circuit comprises a complementary inverter circuit 107 in which an n-ype MFSFET 101 having a ferroelectric thin film at a gate section is combined with a p-type MOSFET 102; and a complementary inverter circuit 108 in which an n-type MFSFET 103 having a ferroelectric thin film at a gate section is combined with a p-type MOSFET 104.例文帳に追加

この発明は、ゲート部に強誘電体薄膜を有するN型MFSFET101と、P型MOSFET102とを組み合わせた相補型のインバータ回路107と、ゲート部に強誘電体薄膜を有するN型MFSFET103と、P型MOSFET104とを組み合わせた相補型のインバータ回路108と、を備えている。 - 特許庁

When the latch signal DTL is a high level, output terminals of the first and the second inverter circuits 6, 8 are short- circuited by third and fourth MOSFET 34, 36, also, the first and the second inverter circuits 6, 8 are separated from a power source and a ground by fifth to eighth MOSFET 38, 40, 42, 44.例文帳に追加

ラッチ信号DTLがハイレベルのときは、第3および第4のMOSFET34、36により第1および第2のインバータ回路6、8の出力端子は短絡され、また、第1および第2のインバータ回路6、8は、第5ないし第8のMOSFET38、40、42、44により電源およびグランドから分離される。 - 特許庁

例文

In this dynamic flip-flop, an N-type MOSFET 5 controlled by an output signal MX of an inverter 2 and an N-type MOSFET 6 controlled by an output signal A of an inverter 4 are attached as switches for causing short-circuiting signals M and QX to be floated to a substrate.例文帳に追加

ダイナミックフリップフロップにおいて、フローティングとなる信号Mに及び信号QXに基板に短絡させるスイッチとして、インバータ2の出力信号MXで制御されるN型MOSFET5及びインバータ4の出力信号Qで制御されるN型MOSFET6を付ける構成とする。 - 特許庁

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「MOSFET inverter」の意味に関連した用語
1
MOSFETインバータ 機械工学英和和英辞典

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