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Magnetoresistive random-access memoryとは 意味・読み方・使い方
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意味・対訳 MRAMとは、メインメモリなどに用いられるRAM（Random Access Memory）の一種で、磁力（磁気抵抗効果）を用いてデータを記憶する仕組みをもったメモリのことである。
「Magnetoresistive random-access memory」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 44件
MAGNETORESISTIVE ELEMENT AND MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY例文帳に追加
磁気抵抗素子及び磁気ランダムアクセスメモリ - 特許庁
METHOD OF FABRICATING MAGNETORESISTIVE RANDOM ACCESS MEMORY (MRAM) DEVICE例文帳に追加
抗磁ランダムアクセスメモリ（ＭＲＡＭ）装置の製造方法 - 特許庁
MAGNETORESISTIVE-EFFECT ELEMENT AND MAGNETIC RANDOM-ACCESS MEMORY例文帳に追加
磁気抵抗効果素子及び磁気ランダムアクセスメモリ - 特許庁
MAGNETORESISTIVE RANDOM ACCESS MEMORY AND DRIVING METHOD THEREFOR例文帳に追加
磁気抵抗ランダムアクセスメモリおよびその駆動方法 - 特許庁
MAGNETORESISTIVE ELEMENT AND MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY例文帳に追加
磁気抵抗効果素子および磁気ランダムアクセスメモリ - 特許庁
MAGNETORESISTIVE ELEMENT AND MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY例文帳に追加
磁気抵抗効果素子及び磁気ランダムアクセスメモリ - 特許庁
MAGNETORESISTIVE MEMORY STORAGE ELEMENT AND MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY DEVICE例文帳に追加
磁気抵抗記憶素子および磁気ランダムアクセスメモリ装置 - 特許庁
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「Magnetoresistive random-access memory」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 44件
MAGNETORESISTIVE RANDOM ACCESS MEMORY HAVING HIGH CURRENT DENSITY例文帳に追加
高い電流密度を有する磁気抵抗ランダム・アクセス・メモリ - 特許庁
MAGNETORESISTIVE RANDOM ACCESS MEMORY AND ITS WRITE CONTROL METHOD例文帳に追加
磁気抵抗ランダムアクセスメモリおよびその書き込み制御方法 - 特許庁
MAGNETORESISTIVE EFFECT ELEMENT AND NON-VOLATILE RANDOM ACCESS MAGNETIC MEMORY例文帳に追加
磁気抵抗効果素子及び不揮発性ランダムアクセス磁気メモリ - 特許庁
MAGNETORESISTIVE EFFECT ELEMENT AND MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY DEVICE例文帳に追加
磁気抵抗効果素子および磁気ランダムアクセスメモリ装置 - 特許庁
HIGH-BANDWIDTH MAGNETORESISTIVE RANDOM ACCESS MEMORY DEVICE AND METHOD OF OPERATION THEREOF例文帳に追加
高帯域幅磁気抵抗ランダムアクセスメモリデバイスとその操作方法 - 特許庁
MAGNETORESISTIVE EFFECT ELEMENT, MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY, AND MANUFACTURING METHOD THEREOF例文帳に追加
磁気抵抗効果素子、磁気ランダムアクセスメモリ、及びそれらの製造方法 - 特許庁
MAGNETORESISTIVE ELEMENT, MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY, AND METHOD OF MANUFACTURING THEM例文帳に追加
磁気抵抗素子、磁気ランダムアクセスメモリ、及びそれらの製造方法 - 特許庁
MAGNETORESISTIVE ELEMENT AND MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY USING THE SAME例文帳に追加
磁気抵抗素子及びそれを用いた磁気ランダムアクセスメモリ - 特許庁
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