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N-type Siとは 意味・読み方・使い方
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「N-type Si」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 202件
A P-type well region 2 is formed on the surface of an N-type Si substrate 1.例文帳に追加
n型Si基板1の表面に、p型ウェル領域2が形成されている。 - 特許庁
The p layer 3 consists of p-type poly-Si:H, the n layer 5 consists of n-type poly-Si:H.例文帳に追加
p層3は、p型poly−Si:Hからなり、n層5は、n型poly−Si:Hからなる。 - 特許庁
The p layer 3 consists of p-type a-Si:H, the n layer 5 consists of n-type a-Si:H.例文帳に追加
p層3は、p型a−Si:Hからなり、n層5は、n型a−Si:Hからなる。 - 特許庁
The (p) layer 3 consists of p-type a-Si:H, the (n) layer 5 consists of n-type a-Si:H.例文帳に追加
p層3は、p型a−Si:Hからなり、n層5は、n型a−Si:Hからなる。 - 特許庁
The Si layer 14 comprises an n-type Si layer with the concentration of an n-type impurity of about 7×10^18 atoms cm^-3, and a p-type Si layer with the concentration of a p-type impurity of about 2×10^17 atoms cm^-3 which is formed on the n-type Si layer.例文帳に追加
Si層14は、n型不純物濃度が7x10^18atoms・cm^-3程度のn型Si層と、n型Si層の上に形成され、p型不純物濃度が2x10^17atoms・cm^-3程度のp型Si層とからなる。 - 特許庁
A porous Si layer 2 is formed on a single-crystal Si substrate 1 and a p^+-type Si layer 3, a p-type Si layer 4, and an n^+-type Si layer 5 all of which become solar battery layers are formed on the Si layer 2.例文帳に追加
単結晶Si基板1上に多孔質Si層2を形成し、その上に太陽電池層となるp^+ 型Si層3、p型Si層4およびn^+ 型Si層5を形成する。 - 特許庁
For example, a-Si film 13 and n^+-type a-Si film 15 accomplish the bank.例文帳に追加
例えば、a−Si膜13とn+型a−Si膜15とがバンクを成している。 - 特許庁
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「N-type Si」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 202件
The underlayer 3 consists of a p-type poly-Si, the (p) layer 4 consists of p-type a-Si:H, the (i) layer 5 consists of i-type a-Si:H, the (n) layer 6 consists of n-type a-Si:H, and the electrode 7 consists of Al.例文帳に追加
下地層3は、p型poly−Siからなり、p層4は、p型a−Si:Hからなり、i層5は、i型a−Si:Hからなり、n層6は、n型a−Si:Hからなり、電極7は、Alからなる。 - 特許庁
The n-type silicon oxide film 2 includes a plurality of quantum dots 21 made of n-type Si.例文帳に追加
n型シリコン酸化膜2は、n型Siからなる複数の量子ドット21を含む。 - 特許庁
For example, an n-type epitaxial layer 12 is grown on the surface of an n-type Si substrate 11.例文帳に追加
たとえば、n型Si基板11の表面に、n型エピタキシャル層12を成長させる。 - 特許庁
An Si dope GaN layer (n-type GaN layer) 84 is grown thereon.例文帳に追加
その上に、SiドープGaN層(n型GaN層)84を成長した。 - 特許庁
A plurality of IGBT cells are formed on an n-type Si substrate 10.例文帳に追加
n型Si基板10上に複数のIGBTセルが形成されている。 - 特許庁
An i-type Si semiconductor layer is disposed between an n-type Si semiconductor layer or p-type Si semiconductor layer and an i-type Si_xGe_1-x semiconductor layer (where 0≤x≤0.6).例文帳に追加
n型Si半導体層又はp型Si半導体層とi型Si_xGe_1−x半導体層(但し、0≦x≦0.6)の間に、i型Si半導体層を配置することとした。 - 特許庁
An i-type a-Si layer 2 and a p-type a-Si layer 3 are deposited on the substrate 1 (an n-type silicon wafer), and a PIN junction is formed (a).例文帳に追加
基板1(n型シリコンウエハ)上に、i型a−Si層2及びp型a−Si層3を堆積させてpi接n合を作成する(a)。 - 特許庁
Two boundary lines between the n-type polycrystalline Si 5a and p-type polycrystalline Si 5b are on the n-type CCD channel area 3 adjacent to the boundary between the n-type CCD channel area 3 and p+-type channel stop area 4.例文帳に追加
n型多結晶Si5aとp型多結晶Si5bとの境界線は2個所ともnCCDチャネル領域3とp^+型チャネル阻止領域4との境界近傍のn型CCDチャネル領域3上にある。 - 特許庁
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