NEGATIVE DIFFERENTIAL RESISTANCEとは 意味・読み方・使い方

A new silicon carbide and silicon (SiC/Si) hetero structure N- type negative differential resistance semiconductor switch with a low power loss and a large on/off current ratio is provided.例文帳に追加

本発明は、低い電力損と大きいオン／オフ電流比を持つ、新規の炭化シリコンおよびシリコン（ＳｉＣ／Ｓｉ）ヘテロ構造Ｎ型ネガティブディファレンシャルレジスタンス半導体スイッチである。 - 特許庁

The differential voltage controlling oscillator 100 is provided with a parallel resonance circuit 100a and a negative resistance circuit 130 connected in parallel to the parallel resonance circuit 100a.例文帳に追加

差動電圧制御発振器１００は、並列共振回路１００ａと、並列共振回路１００ａと並列に接続される負性抵抗回路１３０とを備える。 - 特許庁

The semiconductor logic circuit consists of 1st to 6th semiconductor elements 1 to 6 showing a current-voltage characteristic having a differential negative resistance characteristic between two terminals and a transfer gate 7.例文帳に追加

２端子間に微分負性抵抗特性を有する電流−電圧特性を呈する第１から第６の半導体素子１〜６と、転送ゲート７からなる。 - 特許庁

To provide a resonance tunnel element which is formed on a silicon substrate and greatly develops negative differential resistance, and also to provide its manufacturing method, and a storage element.例文帳に追加

シリコン基板上に形成可能であり、かつ、負性微分抵抗を顕著に発現し得る共鳴トンネル素子及びその製造方法並びに記憶素子を実現する。 - 特許庁

The semiconductor memory device includes first and second diodes serially connected between two power sources having different potentials, formed of a nanowire, and presenting a negative differential resistance, and a selective transistor connected to a connection part of the first diode and the second diode.例文帳に追加

２つの異なる電位の電源間に直列接続され、ナノワイヤで形成され、負性微分抵抗を示す第１および第２のダイオードと、第１のダイオードと第２のダイオードとの接続部に接続される選択トランジスタと、を有することを特徴とする半導体記憶装置である。 - 特許庁

When outputting a positive power source voltage VDD and a negative power source voltage VSS, a power source circuit E supplies the power source voltage more voltage-dropped than a differential voltage between the voltages VDD and VSS, to a driver D, by internal resistances of ammeters K1, K2 and a wire resistance of an electric power source line.例文帳に追加

電源回路Ｅは正電源電圧ＶＤＤと負電源電圧ＶＳＳとを出力すると、電流計Ｋ１及びＫ２の内部抵抗と電源ラインの配線抵抗とにより、ドライバＤにはＶＤＤ及びＶＳＳ間の差分電圧よりも電圧降下された電源電圧が供給される。 - 特許庁

To provide a flip-flop circuit capable of operating at a high speed and reducing a load on an external circuit for not requiring a supply of a clock signal of a large current from outside, in a logic circuit using a negative differential resistance element and an electric field effect.例文帳に追加

負性微分抵抗素子と電界効果を用いた論理回路において、高速に動作することが可能であり、外部から大電流のクロック信号を供給する必要がなく、外部回路の負担を低減することのできるフリップフロップ回路を提供する。 - 特許庁

In measuring the total voltage of the battery pack 1, the total voltage is detected with an output of a positive electrode-side resistance voltage dividing circuit comprising resistances 9 and 10 being connected to a plus input of a differential amplifier 20 while an output of a negative electrode-side resistance voltage dividing circuit comprising resistances 12 and 11 being connected to a minus input of the differential amplifier 20.例文帳に追加

組電池１の総電圧の測定時には、抵抗９、１０で構成される正極側抵抗分圧回路の出力を差動増幅器２０の＋入力に接続するとともに抵抗１２、１１で構成される負極側抵抗分圧回路の出力を差動増幅器２０の−入力に接続して総電圧の検出を行い、リーク検出時には、正極側抵抗分圧回路の出力を差動増幅器２０の＋入力に接続するとともに差動増幅器２０の−入力をグランドに接続して差動増幅器２０の出力電圧を測定することでリーク検出を行なう。 - 特許庁