O Sinとは 意味・読み方・使い方

The semiconductor device is manufactured by a method of having the steps of: implanting P and O into a SiN layer; and reacting P and O implanted into the SiN layer with H_2O to etch the SiN layer.例文帳に追加

ＳｉＮ層にＰおよびＯを注入する工程と、前記ＳｉＮ層に注入されたＰおよびＯをＨ_2Ｏと反応させ、前記ＳｉＮ層をエッチングする工程とを有する方法により、半導体装置を製造する。 - 特許庁

The shielding film 12 is made of an insulative material having high resistance such as SiN, TiO2 or SiON, wherein gas such as H2O or O is discharged in a small quantity.例文帳に追加

遮蔽膜12は絶縁性・高抵抗のSiN,TiO_2, SiON等の材料からなり、H_2O やＯ等のガスの放出が少ない。 - 特許庁

Ri So (Lizong) (Song) enjoyed Do school as the name 'Ri' (law) given to a dead emperor for the ceremony of putting the soul in a mausoleum indicates, and Gi Ryo O, Sin Toku Shu, etc. from the school of Chu His flourished.発音を聞く 例文帳に追加

理宗(宋)はその廟号「理」字が示すとおり道学を好み、朱熹の門流、魏了翁・真徳秀らが活躍した。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

A clocking start signal SIN is inputted to a path switching means 2, controlled by an external/refresh operation-operation start request signal REQ (O)/(I), and connected to first or second clocking section 3, 4.例文帳に追加

計時開始信号ＳＩＮが経路切り換え手段２に入力され、外部アクセス／リフレッシュ動作開始要求信号ＲＥＱ（Ｏ）／（Ｉ）により制御されて第１又は第２計時部３、４に接続される。 - 特許庁

The output signal Sout of the AND gate AND 1 of the logic circuit LC goes down after the lapse of the time top from a trailing edge of the output signal S0 of the AND gate AND 1 and the RS flip-flop FF1 is set, in response to the trailing edge of the input signal Sin.例文帳に追加

ANDゲートAND1の出力信号Ｓ_O の立ち下がりエッジから時間ｔ_opが経過したあと、論理回路ＬＣの出力信号Ｓ_out が立ち下がり、入力信号Ｓ_inの立ち下がりエッジに応じてRSフリップフロップFF１がセットされる。 - 特許庁

An O ring 15 is provided at the periphery between a substrate electrode 6 and a sample 20 (where a SiN film is formed on a GaAs substrate) and thus a He gas diffusion space 16 around 1 mm high is constituted between the substrate electrode 6 and the sample 20.例文帳に追加

基板電極６と試料２０（ＧａＡｓ基板にＳｉＮ膜を形成したもの）との間の周縁部にＯリング１５を設けて、基板電極６と試料２０との間に高さ１ｍｍ程度のＨｅガスの拡散空間１６を構成する。 - 特許庁

The thin-film transistor drives a functional device wherein an outer layer is protected by a film containing at least one of SiN_x, SiON, SiO_x, SiOC, or SiC_x, and it is provided with a channel layer formed of an amorphous oxide film having a main constituent element of In-M-Zn-O.例文帳に追加

外層をＳｉＮ_x、ＳｉＯＮ、ＳｉＯ_x、ＳｉＯＣ又はＳｉＣ_xの少なくとも１つを含む膜で保護された機能デバイスを駆動するための薄膜トランジスタであって、Ｉｎ−Ｍ−Ｚｎ−Ｏを主たる構成元素とする非晶質酸化物膜のチャネル層を持つ。 - 特許庁