P シリコンの英語

p-TYPE SILICON WAFER例文帳に追加

ｐ型シリコンウェーハ - 特許庁

In an element isolation structure for semiconductor device, an n--type silicon layer 2, an n+-type silicon layer 3, and another n--type silicon layer 4 are formed on a p+-type silicon substrate 1.例文帳に追加

ｐ^+ 型シリコン基板１の上に、ｎ^- 型シリコン層２、ｎ^+ 型シリコン層３、ｎ^- 型シリコン層４が形成されている。 - 特許庁

MANUFACTURING METHOD OF P-DOPED SILICON SINGLE CRYSTAL AND P-DOPED N TYPE SILICON SINGLE CRYSTAL WAFER例文帳に追加

Ｐドープシリコン単結晶の製造方法及びＰドープＮ型シリコン単結晶ウェーハ - 特許庁

A buried region of p^+ silicon carbide is provided on the p-type silicon carbide well region.例文帳に追加

ｐ^＋シリコンカーバイドの埋込み領域が、ｐ型シリコンカーバイドウェル領域に設けられる。 - 特許庁

The semiconductor device is provided with an n-type silicon substrate 1, an n-type silicon layer 2, a silicon/germanium superlattice layer 5 where Be doped silicon germanium layers 3 and i-type silicon layers 4 are laminated, a p-type silicon layer 6, a p-side electrode 7, and an n-side electrode 8.例文帳に追加

本発明に係る半導体装置は、ｎ型シリコン基板１と、ｎ型シリコン層２と、Ｂｅドープシリコンゲルマニウム層３およびｉ型シリコン層４を積層したシリコン／シリコンゲルマニウム超格子層５と、ｐ型シリコン層６と、ｐ側電極７と、ｎ側電極８とを備える。 - 特許庁

P-TYPE SILICON SINGLE-CRYSTAL WAFER AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

ｐ型シリコン単結晶ウェーハ及びその製造方法 - 特許庁

MANUFACTURING METHOD FOR P-TYPE SILICON CARBIDE LAYER例文帳に追加

ｐ型シリコンカーバイド層の製造方法 - 特許庁