P-IVとは 意味・読み方・使い方

In the high carrier concentration region, a laminated structure, composed of the n-type or p-type impurity layer and a group IV semiconductor layer which are successively repeatedly laminated by vapor phase growth, for example, is formed.例文帳に追加

高キャリア濃度領域は例えば気相成長により順次繰返して積層されるｎ型またはｐ型いずれかの一方の不純物層とIV族半導体層とからなる積層構造の形成により行なわれる。 - 特許庁

Each of the p-type source-drain regions 20 is composed of a mixed crystal layer of silicon and a group IV element, and the mixed crystal layer has a projection 20a which is formed by protruding the side face of the mixed crystal layer on a gate electrode side in a gate-length direction toward a gate electrode side.例文帳に追加

ｐ型ソースドレイン領域２０は、シリコンとIV族元素との混晶層からなり、混晶層は、ゲート長方向におけるゲート電極側の側面がゲート電極側に突き出す凸部２０ａを有している。 - 特許庁

The compound of formula I is obtained, for example, by reacting a compound of formula II obtained from p-acetylphenol as starting material with a compound of formula IV.例文帳に追加

本発明は式（Ｉ）のシアニン色素を含有するカラー写真材料及び分光増感剤としての式（Ｉ）の化合物の使用にも関する。 - 特許庁

In the formula, M denotes transition metal, an element of III, IV, or V group of the periodic table, A^a+ denotes a metal ion, proton, or onium ion, a denotes 1 to 3, b denotes 1 to 3, p denotes b/a, m denotes 1 to 4, n denotes 1 to 8, and q denotes 0 or 1.例文帳に追加

（但し，Ｍは，遷移金属，周期律表のIII族，IV族，又はV族元素，Ａ^a+は，金属イオン，プロトン，又はオニウムイオン，ａは１〜３，ｂは１〜３，ｐはｂ／ａ，ｍは１〜４，ｎは１〜８，ｑは０又は１を表す） - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device capable of easily preparing a shallow p-type impurity doped area on a IV group semiconductor substrate with regard to a method of shallow ion implantion of boron into a IV group semiconductor.例文帳に追加

ＩＶ族半導体にボロンを浅くイオン注入する方法に関し、ＩＶ族半導体基板に浅いｐ型不純物ドープ領域を容易に作成することができる半導体装置の製造方法を提供することである。 - 特許庁

This intermediate of a new 3-aryl-2-hydroxypropionic acid derivative is expressed by formula IV [wherein, Q is H; A is OH, a chiral supplemental group selected from a chiral amine, chiral alcohol and chiral oxazolidinone or OR^P (R^P is a blocking group)].例文帳に追加

以下の式ＩＶ：［式中、Ｑは水素であり；そしてＡは、−ＯＨであるか、又はキラルアミン、キラルアルコールおよびキラルオキサゾリジノンから選択されるキラル補助基であるか、又は−ＯＲ^ｐ（−Ｒ^ｐは保護基である）である］の化合物。 - 特許庁

In a pre-amorphous process, an amorphous region is formed in a semiconductor region by performing the ion implantation of a IV group element, or an ion implantation of at least any one of arsenic (As), phosphorous (P), halogen, and inert gas elements, or an ion implantation under the conditions of a low temperature lower than -10°C.例文帳に追加

半導体領域内に、プレアモルファス工程では、IV族元素のイオン注入、又はヒ素（Ａｓ），リン（Ｐ），ハロゲン元素及び不活性ガス元素のうち少なくともいずれか１つのイオン注入、又は−１０℃よりも低い低温条件でイオン注入を行なってアモルファス領域を形成する。 - 特許庁

An amorphous region is formed in a semiconductor area by implanting ions of an IV group element, implanting ions of at least any one of arsenic(As), phosphorus(P), a halogen element and inert gas element, or implanting ions under conditions of a temperature lower than -10°C in a pre- amorphous step.例文帳に追加

半導体領域内に、プレアモルファス工程では、IV族元素のイオン注入、又はヒ素（Ａｓ），リン（Ｐ），ハロゲン元素及び不活性ガス元素のうち少なくともいずれか１つのイオン注入、又は−１０℃よりも低い低温条件でイオン注入を行なってアモルファス領域を形成する。 - 特許庁