SILICON CARBIDE THIN FILMとは 意味・読み方・使い方

SILICON CARBIDE SINGLE CRYSTAL INGOT WITH SEED CRYSTAL, SILICON CARBIDE SINGLE CRYSTAL SUBSTRATE, SILICON CARBIDE EPITAXIAL WAFER, AND THIN FILM EPITAXIAL WAFER例文帳に追加

種結晶付き炭化珪素単結晶インゴット、炭化珪素単結晶基板、炭化珪素エピタキシャルウェハ、及び薄膜エピタキシャルウェハ - 特許庁

To provide a silicon carbide thin film structure which can form a silicon carbide thin film having a good crystallinity and also can lighten the structure, a method for manufacturing the structure, and a thin film transistor utilizing the silicon carbide thin film structure.例文帳に追加

良好な結晶性を有する炭化ケイ素薄膜が形成されると共に軽量化が可能な炭化ケイ素薄膜構造体およびその製造方法、並びに炭化ケイ素薄膜構造体を利用した薄膜トラジスタを提供する。 - 特許庁

Accordingly, a good quality silicon carbide thin film wafer can be obtained and a production method capable of producing the silicon carbide thin film wafer without consuming susceptor is realized.例文帳に追加

この結果、良質な炭化珪素薄膜ウェハが得られ、サセプタの消耗のない炭化珪素薄膜ウェハの製造方法の提供を実現できる。 - 特許庁

To prevent a silicon carbide thin film from being lost or peeling with respect to a method of manufacturing a semiconductor device by enhancing mechanical strength of the silicon carbide thin film.例文帳に追加

半導体装置の製造方法に関し、炭化シリコン薄膜の機械強度を高め、膜の消失や剥離を防止する。 - 特許庁

METHOD OF MANUFACTURING CUBIC SILICON CARBIDE SINGLE-CRYSTAL THIN FILM, AND SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

立方晶炭化ケイ素単結晶薄膜の製造方法及び半導体装置 - 特許庁

MANUFACTURE OF P-TYPE CUBIC SILICON CARBIDE SINGLE CRYSTAL THIN FILM例文帳に追加

ｐ型立方晶炭化珪素単結晶薄膜の製造方法 - 特許庁

METHOD FOR REDUCING SLIP IN THIN FILM ON CUBIC SILICON CARBIDE SINGLE CRYSTAL例文帳に追加

立方晶炭化珪素単結晶薄膜におけるスリップの低減方法 - 特許庁

METHOD OF FORMING THIN FILM OF SINGLE CRYSTAL SILICON CARBIDE AND APPARATUS OF FORMING IT例文帳に追加

単結晶炭化シリコン薄膜の製造方法及びその製造装置 - 特許庁