Schottky diodesとは 意味・読み方・使い方

To provide a semiconductor element using Schottky diodes to remove noise and a manufacturing method thereof.例文帳に追加

ショットキーダイオードを用いたノイズ除去のための半導体素子及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide nitride-based semiconductor devices, such as Schottky diodes, having a layer formed to allow re-creating very low and uniform doping.例文帳に追加

極めて低く、且つ均一にドープすることを再現可能にした層を有するショットキーダイオードのような窒化物基半導体デバイスを提供する。 - 特許庁

To provide semiconductor devices, and particularly, semiconductor devices which incorporate a metal-semiconductor rectifying junction, such as Schottky diodes.例文帳に追加

半導体素子、特にショットキーダイオードのような金属対半導体整流接合を組み込む半導体素子を提供する。 - 特許庁

Each of the Schottky barrier diodes D1, D2, D3, and D4 is formed of a barrier film, an electrode, and the semiconductor substrate.例文帳に追加

各ショットキーバリアダイオードＤ１、Ｄ２、Ｄ３、Ｄ４は、バリア膜、電極、半導体基板で構成されている。 - 特許庁

An attaching hole 27b for housing and arranging a pair of schottky diodes 41, 42 is formed near the tip of the arm 27.例文帳に追加

アーム２７の先端部近くには、一対のショットキーダイオード４１、４２を収容配置するための取付孔２７ｂが形成されている。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing silicon carbide Schottky barrier diodes having uniform characteristics by reducing variations in their forward characteristics.例文帳に追加

順方向特性のばらつきを低減し、特性の揃った炭化珪素ショットキバリアダイオードの製造方法を得ることを目的とする。 - 特許庁

To provide a semiconductor device, in which four Schottky barrier diodes are combined in a bridge on a silicon substrate, with low voltage and small power consumption at a low cost, while the voltage rise in forward direction of the Schottky barrier diodes is small in the voltage-current characteristics.例文帳に追加

シリコン基板上のショットキーバリアダイオードをブリッジ型に４つ組み合わせた半導体装置の各ショットキーバリアダイオードの電圧−電流特性における順方向の立ち上がり電圧が小さく、低電圧低消費電力低コストの装置の提供。 - 特許庁

In the semiconductor integrated circuit device, a diode bridge circuit having Schottky barrier diodes and a peripheral circuit having MOS transistors are formed on an identical silicon substrate, and a Schottky barrier as an constituent element of the Schottky barrier diode is made of a silicide layer.例文帳に追加

ショットキーバリアダイオードで構成されるダイオードブリッジ回路と、ＭＯＳ型トランジスタで構成される周辺回路とが、同一のシリコン基板上に形成され、ショットキーバリアダイオードの構成要素であるショットキーバリアがシリサイド層からなることを特徴とする半導体集積回路装置により上記課題を解決する。 - 特許庁