Si atとは 意味・読み方・使い方

Si(at.%)≤0.5, etc. (1) (wherein *at.% is element %).例文帳に追加

０≦Ｆ(at ％)/Si(at ％) ≦0.5 ・・・・・(1) *at ％：元素％ - 特許庁

The method for manufacturing the Si-SiC material manufactured by impregnating the material with molten Si comprises manufacturing the Si-SiC material by heat treating a molding consisting of a powder mixture composed of SiC, Si and C at a temperature above the melting point of the Si to make a calcined body and impregnating the calcined body with the molten Si at a temperature above the melting point of the Si.例文帳に追加

溶融Siを含浸して製造するSi-SiC材料において、SiC、Si、Cの混合粉よりなる成形体をSiの融点以上の温度で熱処理して仮焼体を作製し、該仮焼体にSiの融点以上の温度で溶融Siを含浸させてSi-SiC材料を作製することを特徴とするSi-SiC材料の製造方法である。 - 特許庁

The gate insulation film is given a multilayer structure comprising at least SiO_2 and SRN (Si Rich Nitride) film.例文帳に追加

ゲート絶縁膜を少なくともSiO_2とSRN（Si Rich Nitride）膜との積層構造とする。 - 特許庁

The magnetic sheet for the RFID antenna comprises at least one kind of amorphous alloy selected from the group consisting of Fe-Si-B, Fe-Si-B-Cu-Nb, Fe-Zr-B and Co-Fe-Si-B.例文帳に追加

本発明に係るＲＦＩＤアンテナ用磁性シートは、Fe-Si-B、Fe-Si-B-Cu-Nb、Fe-Zr-B及びCo-Fe-Si-Bからなる群から選択される少なくとも１種の非晶質合金を含むことを特徴とする。 - 特許庁

Then local nucleation is promoted at the upper part of the Si melt by inserting a seed crystal or a coolant in the Si melt from above the Si melt, or by conducting local cooling.例文帳に追加

次に、Si融液の上部からSi融液中に種結晶や冷媒を挿入または局所冷却を行うことにより、Si融液上部で局所的な核形成を促進する。 - 特許庁

Thereafter the Si crystal ingot is grown by crystallizing from the upper part to the lower part of the Si melt by cooling the ingot while maintaining proper temperature distribution, and the remaining Si melt is discharged to outside the crucible on the way of crystal growth or at the final stage.例文帳に追加

しかる後、適切な温度分布を保ったまま冷却を行い、Si融液の上部から下部へSi結晶インゴットを結晶成長させ、結晶成長の途中または最終段階で、残留するSi融液をルツボ外に排除する。 - 特許庁

Generation of Si nodules is prevented by depositing an Al3Ti film, having a high solid solubility of Si and an Al film in layer and heat treating at 400°C or above, thereby absorbing excess Si to the Al3Ti film.例文帳に追加

Siの固容量の大きいAl3Ti膜をAl膜と積層するように堆積して、400℃以上の熱処理を加えることにより、過剰なSiをAl3Ti膜に吸収させることでSiノジュールの発生を防止する。 - 特許庁