Silicon wafersとは 意味・読み方・使い方

MANUFACTURING METHOD OF NON-OXYGEN PRECIPITATING CZOCHRALSKI SILICON WAFERS例文帳に追加

非酸素析出性のチョクラルスキーシリコンウエハの製造方法 - 特許庁

To minimize voids on the adhesive surfaces of two silicon wafers in a semiconductor device where two silicon wafers are superimposed and bonded, and bump electrodes formed on the two silicon wafers, respectively, are connected electrically.例文帳に追加

２枚のシリコンウエハを重ね合わせて接着し、２枚のシリコンウエハのそれぞれに形成されたバンプ電極同士を電気的に接続する半導体装置において、２枚のシリコンウエハの接着面のボイドを抑制する。 - 特許庁

PHOSPHORUS-DOPED SILICON SINGLE-CRYSTAL WAFER, EPITAXIAL SILICON WAFER AND MANUFACTURE OF THESE WAFERS例文帳に追加

リンドープシリコン単結晶ウエーハ及びエピタキシャルシリコンウエーハ及びこれらの製造方法 - 特許庁

A method of joining silicon wafers includes a step of heating a component member, consisting of two or more silicon wafers, plated with nickel and a thin layer, provided in between the nickel-plated silicon wafers, consisting of one of aluminum, tin, copper and silver under a pressurized condition, and a step of cooling it to join the wafers.例文帳に追加

ニッケルでメッキされた２枚以上のシリコンウェハーと、前記ニッケルメッキされたシリコンウェハーの間に配置されたアルミニウム、錫、銅、および銀のうち１種からなる薄層とからなる構成部材を加圧状態で加熱し、冷却して、シリコンウェハーを接合する。 - 特許庁

A silicon nitride film, a silicon dioxide film, and a silicon oxynitride film including the carbon atom are formed on the wafers 200 by supplying the gas including at least the gas inculuding the silicon atom and the gas including the carbon atom to the wafers 200.例文帳に追加

ウェハ２００に対して少なくともシリコン原子を含むガスと、カーボン原子を含むガスとを供給して、ウェハ２００にカーボン原子を含むシリコン窒化膜、シリコン酸化膜、またはシリコン酸窒化膜を形成する。 - 特許庁

To provide a set of epitaxial silicon wafers which has wafers having epitaxial layers not substantially having grown-in defects of crystal.例文帳に追加

結晶成長導入欠陥を実質的に有さないエピタキシャル層を有するウエハを有するエピタキシャルシリコンウエハのセットを提供する。 - 特許庁

Objects to be measured are silicon wafers formed by epitaxial growth and wafers formed by high-temperature annealing treatments.例文帳に追加

測定対象は、エピタキシャル成長させたシリコンウェーハや、高温アニール処理されたウェーハである。 - 特許庁

To provide a method and device for directly producing semiconductor wafers including silicon wafers without depending on conventional ingot (CZ method).例文帳に追加

従来のインゴット（CZ法等）によらず、シリコンウエハを含む半導体ウエハを直接製造する方法及び装置を提供する。 - 特許庁