Smart filmとは 意味・読み方・使い方

To provide a method of manufacturing a piezoelectric device that separates, when manufacturing a piezoelectric compound substrate through smart-cutting, even if an ion implantation layer is formed while fixing the piezoelectric substrate at some places around the piezoelectric substrate using a fixing tool, a piezoelectric thin film from the piezoelectric substrate without fail.例文帳に追加

スマートカット法で圧電複合基板を製造する際に、圧電基板の周囲の数箇所を固定治具で固定してイオン注入層を形成しても、圧電基板から圧電薄膜を問題なく分離できる圧電デバイスの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide the manufacturing method of a semiconductor device for preventing the characteristics deterioration of a single crystal Si thin film transistor, which is generated from the surface roughness of a surface (separated surface) separated in a hydrogen pouring surface upon transferring, by forming the single crystal Si (silicon) thin film device on an insulating substrate of glass or the like through the transferring employing Smart-Cut (R) method.例文帳に追加

ガラス等の絶縁基板上にＳｍａｒｔ−Ｃｕｔ（登録商標）法を用いて単結晶Ｓｉ（シリコン）薄膜デバイスを転写により形成し、転写のときに水素注入面において剥離した面（剥離面）の表面荒れから生じる単結晶Ｓｉ薄膜トランジスタの特性劣化を防止するための半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To reduce costs in an SOI substrate 1 which uses so-called smart cutting to obtain a single crystal silicon thin film by implanting hydrogen ions into a single crystal silicon piece 6, sticking the single crystal silicon piece 6 onto a substrate 2 and then performing heat treatment to embrittle hydrogen on the surface where the hydrogen ions are implanted.例文帳に追加

単結晶シリコン片６内に水素イオンを打込み、その単結晶シリコン片６を基板２に貼合わせた後、熱処理することで、前記水素イオンの打込み面で水素脆化させて単結晶シリコン薄膜を得るようにした、いわゆるスマートカット法を用いるＳＯＩ基板１において、低コスト化を図る。 - 特許庁

The smart label comprises an antenna formed so that it is wound up with a conductive thin film layered on a surface of an insulated supporting member and forms a circumference face and two side face parts, and a semiconductor chip.例文帳に追加

絶縁性支持部材の表面に積層された導電性の薄膜を捲回して円周面と両側面部分とを有するように形成されたアンテナと、アンテナの最外周に対応する前記導電性の薄膜に接続された第１の接続端子及び前記アンテナの最内周に対応する前記導電性の薄膜に接続された第２の接続端子とを有する半導体チップとを備えるスマートラベル及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To attain cost reduction in an SOI substrate 1 using, so-called a smart cut method, constituted so as to perform hydrogen embrittlement on an implantation surface of hydrogen ion to obtain a single-crystal silicon thin film by implanting the hydrogen ion in a single-crystal silicon strip 6, and performing heat treatment after having stuck the single-crystal silicon strip 6 to a substrate 2.例文帳に追加

単結晶シリコン片６内に水素イオンを打込み、その単結晶シリコン片６を基板２に貼合わせた後、熱処理することで、前記水素イオンの打込み面で水素脆化させて単結晶シリコン薄膜を得るようにした、いわゆるスマートカット法を用いるＳＯＩ基板１において、低コスト化を図る。 - 特許庁