The miſの英語

MIS type semiconductor device, comprising first MIS element (QW11) formed on the semiconductor substrate, utilizing either the drain (3) or the source (4) of the first MIS element (QW11) and the second MIS element (QR11) formed above the first MIS element (QW11).発音を聞く 例文帳に追加

半導体基板(１)の一主面に形成された第１のMIS素子（Qｗ11）と、この第１のMIS素子（Qｗ11）のドレイン(３)及びソース(４)領域のいずれか一方の領域をゲートとして用い、かつ前記第１のMIS素子（Qｗ11）の上部に積み重ね形成された第２のMIS素子（QＲ11）とを有したことを特徴とするMIS型半導体装置。 - 特許庁

A semiconductor device includes the n-type MIS transistor and the p-type MIS transistor.例文帳に追加

半導体装置は、ｎ型ＭＩＳトランジスタとｐ型ＭＩＳトランジスタとを備えている。 - 特許庁

An identical chip has the n-type MIS transistor and the p-type MIS transistor.例文帳に追加

同一チップ内にＮ型ＭＩＳトランジスタ及びＰ型ＭＩＳトランジスタを有する。 - 特許庁

MIS type semiconductor device and the semiconductor random access memory device application発音を聞く 例文帳に追加

MIS型半導体装置およびこれを用いた半導体ランダムアクセスメモリ装置 - 特許庁

The semiconductor device includes an n-type MIS transistor and a p-type MIS transistor.例文帳に追加

半導体装置は、ｎ型ＭＩＳトランジスタ及びｐ型ＭＩＳトランジスタとを備えている。 - 特許庁

The semiconductor device includes a first MIS transistor and a second MIS transistor.例文帳に追加

半導体装置は、第１のＭＩＳトランジスタと第２のＭＩＳトランジスタとを備える。 - 特許庁

To solve the problem: it is difficult to establish compatibility between the high reliability of an n-type MIS transistor and the high performance of a p-type MIS transistor when a sidewall width is the same in the n-type MIS transistor and the p-type MIS transistor.例文帳に追加

ｎ型ＭＩＳトランジスタとｐ型ＭＩＳトランジスタとにおいてサイドウォール幅が同一である場合、ｎ型ＭＩＳトランジスタの高信頼性とｐ型ＭＩＳトランジスタの高性能化を両立させることは難しい。 - 特許庁