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Weblio 辞書 > 英和辞典・和英辞典 > 百科事典 > Z (film)の意味・解説 

Z (film)とは

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ウィキペディア英語版での「Z (film)」の意味

Z (film)

出典:『Wikipedia』 (2011/07/12 13:40 UTC 版)

英語による解説
ウィキペディア英語版からの引用


「Z (film)」の部分一致の例文検索結果

該当件数 : 167



例文

The -Z surface side electrode forming process and +Z surface side electrode forming process are processes of forming electrodes on the +Z surface side and -Z surface side by vacuum-depositing metal, wherein the -Z surface side electrode 24 is formed via the insulation film.例文帳に追加

-Z面側電極形成工程及び+Z面側電極形成工程は金属を真空蒸着することによって+Z面側及び-Z面側に電極を形成する工程であり、-Z面側電極24は、絶縁膜を挟んで形成される。 - 特許庁

The photosensitive element comprises a support film X and a photosensitive resin composition layer Z.例文帳に追加

感光性エレメントは、支持フィルムXと感光性樹脂組成物層Zとを有する。 - 特許庁

In the SiNxOyCz film, x, y and z are each in the range of the following inequalities (1) to (3): (1) 0.2<x<1.5;例文帳に追加

SiNxOyCz膜は、x、y及びzそれぞれが下記式(1)〜(3)の範囲である。 - 特許庁

The method of forming periodically polarization-inverted structure includes: an insulation film forming process; a -Z surface side electrode forming process; a +Z surface side electrode forming process and a polarization-inverted structure forming process.例文帳に追加

絶縁膜形成工程と、-Z面側電極形成工程と、+Z面側電極形成工程と、分極反転構造形成工程とを含んで構成される周期的分極反転構造の形成方法である。 - 特許庁

The film has 30YI60 yellowness value (YI value) calculated by the following formula YI value=100×(1.28×X-1.06×Z)/Y例文帳に追加

YI値=100×(1.28×X−1.06×Z)/Y。 - 特許庁

As an insulating film used for the TFT, for example, a gate insulating film, a protecting film, an under film, an interlayer insulating film, or the like, a silicon nitride oxide film (SiN_XB_YO_Z) containing boron is formed by a sputtering method.例文帳に追加

TFTに利用する絶縁膜、例えばゲート絶縁膜、保護膜、下地膜、層間絶縁膜等として、ボロンを含む窒化酸化珪素膜(SiN_X B_Y O_Z )をスパッタ法で形成する。 - 特許庁

例文

The insulation film forming process is a process of periodically arranging insulation films 22 on a -Z surface of a ferroelectric crystal substrate 20.例文帳に追加

絶縁膜形成工程は、強誘電体結晶基板20の-Z面に絶縁膜22を周期的に配置させて形成する工程である。 - 特許庁

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「Z (film)」の部分一致の例文検索結果

該当件数 : 167



例文

The positive electrode active material film 40 is composed of a lithium complex oxide of Li_xM_yPO_4-zN_z in an amorphous state.例文帳に追加

正極活物質膜40は、アモルファス状態のLi_xM_yPO_4-zN_zリチウム複合酸化物で構成される。 - 特許庁

Favorably, the barrier layer includes an oxynitride film having a composition formula of Si_xN_yO_z, wherein the ratio of x:y:z is 1:1:0.1-0.7.例文帳に追加

好ましくは、バリア層は、組成式Si_xN_yO_Zの酸窒化膜を含有し、x:y:z=1:1:0.1〜0.7である。 - 特許庁

The capacitance film 142 is constituted of a metal compound film having a composition expressed by MO_xC_yN_z, where x, y, and z satisfy 0<x, 0.1≤y≤1.25, 0.01≤z, and x+y+z=2, and M contains Hf and/or Zr.例文帳に追加

容量膜142を、式MO_xC_yN_z(但し、x、y、zは、0<x、0.1≦y≦1.25、0.01≦z、x+y+z=2を満たす。Mは、少なくともHfまたはZrを含む。)で表される組成を有する金属化合物膜により構成する。 - 特許庁

The film forming device includes grounding plates, which are arranged at the section where the drum 30 contacts to the substrate Z and/or the section where the substrate Z is stripped from the drum 30, face to the drum 30 at the outside of the drum in the width direction of the substrate Z, have many through-holes, and are conductive and grounded.例文帳に追加

ドラム30と基板Zとの接触位置および/またはドラムから基板の剥離位置に、基板の幅方向の外側にドラムに対面して、多数の貫通孔を有し、かつ、導電性で接地されるアース板を配置する。 - 特許庁

The precursor for film deposition is obtained by dissolving ruthenium tetroxide into fluorine-containing ether expressed by the general formula: C_xH_yF_zO (wherein, x, y, z have the relations of 2x+2=y+z, x=2 to 15, and z>y).例文帳に追加

一般式C_xH_yF_zO(ただし、x、y、zは2x+2=y+z、x=2〜15、z>yの関係を有する)にて表されるフッ素含有エーテルに四酸化ルテニウムを溶解した成膜用前駆体。 - 特許庁

The dielectric film 3 contains Pb(Zr_xTi_yM_z)O_3 as a main component, where M is at least one selected from Nb, Ta and V, and a formula x+y+z=1 is satisfied.例文帳に追加

誘電体膜3が、Pb(Zr_xTi_yM_z)O_3(ただし、MはNb、Ta、Vから選択された少なくとも一種であり、x+y+z=1)を主成分としている。 - 特許庁

The preferred film is expressed by a chemical formula Si_vO_wC_xH_yF_z wherein v+w+x+y+z=100%, v=10-35 atom%, w=10-65 atom%, x=1-30 atom%, y=10-50 atom% and z=0.1-15 atom% without substantial binding between fluorine and carbon.例文帳に追加

好ましい膜は化学式Si_vO_wC_xH_yF_zによって表され、式中、v+w+x+y+z=100%、vが10〜35原子%、wが10〜65原子%、yが10〜50原子%、xが1〜30原子%、及びzが0.1〜15原子%であり、実質的にフッ素が炭素に結合されていない。 - 特許庁

例文

A preferred film is expressed by the formula Si_vO_wC_xH_yF_z (v+ w+x+y+z=100%, v stands for 10-35 atom.%, w for 10-65 atom.%, y for 10-50 atom.%, x for 2-30 atom.%, and z for 0.1-15 atom.%), and fluorine is not bonded to carbon.例文帳に追加

好適な膜は式Si_vO_wC_xH_yF_z(v+w+x+y+z=100%、vは10〜35原子%、wは10〜65原子%、yは10〜50原子%、xは2〜30原子%、およびzは0.1〜15原子%)で表わされ、実質的にフッ素は炭素に結合されていない。 - 特許庁

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