Zener breakdownとは 意味・読み方・使い方

Between the source terminal and the gate terminal of the power MOSFET 52, Zener diode group 56 are connected, which is with a breakdown voltage lower than the gate breakdown-strength of an insulating gate type transistor, clamps a gate voltage at the breakdown of the Zener diode group 55.例文帳に追加

パワーＭＯＳＦＥＴ５２のソース端子とゲート端子との間にはブレークダウンする電圧が絶縁ゲート型トランジスタのゲート耐圧よりも低く、ツェナーダイオード群５５のブレークダウン時のゲート電圧をクランプするツェナーダイオード群５６が接続されている。 - 特許庁

The temperature detection circuit includes a constant current circuit generating constant current, a Zener diode generating breakdown voltage varying depending on the temperature when the constant current is supplied, and a signal output circuit for output of the output signal indicating whether the Zener diode temperature is higher than the Zener diode temperature when the breakdown voltage is turned into a predetermined voltage, based on a magnitude relationship between the breakdown voltage and the predetermined voltage.例文帳に追加

温度検出回路は、定電流を生成する定電流回路と、定電流が供給されると、温度に応じて変化する降伏電圧を生成するツェナーダイオードと、降伏電圧と所定電圧との大小関係に基づいて、ツェナーダイオードの温度が、降伏電圧が所定電圧となる際のツェナーダイオードの温度より高いか否かを示す出力信号を出力する信号出力回路と、を備える。 - 特許庁

Since a Zener diode 28 is nonconductive when a voltage applied to the Zener diode 28 is a breakdown voltage of the Zener diode 28 or below, an amplification factor A1 (first amplification factor) of the amplifier circuit 20 is decided depending on a resistance R1 of a first feedback resistor 24.例文帳に追加

ツェナーダイオード２８に印加される電圧が該ツェナーダイオード２８のブレークダウン電圧以下である場合には、該ツェナーダイオード２８がオフ状態となるので、増幅回路２０の増幅率Ａ１（第１の増幅率）は第１の帰還抵抗２４の抵抗値Ｒ１によって決定される。 - 特許庁

To prevent a low voltage Zener diode from deteriorating in ESD strength due to reduction in impurity concentration of the outermost surface (with a depth of about 0 to 1 μm) of a guard ring, a leakage current from increasing due to the formation of an inversion layer, and the Zener diode from deteriorating in product characteristics, such as Zener breakdown voltage.例文帳に追加

ガードリング最表面部（深さ約０〜１μｍ）の不純物濃度低下によるＥＳＤ耐量の低下、および反転層の形成によるリーク電流の増加、ツェナー降伏電圧の低下等製品特性の劣化を防止する。 - 特許庁

The Zener diodes ZD11 and ZD12 have different breakdown voltages and are applied with regulation voltages from a control voltage input terminal 5.例文帳に追加

ツェナーダイオードＺＤ１１，ＺＤ１２はブレークダウン電圧が異なり、これらには制御電圧入力端子５から調整用電圧が印加される。 - 特許庁

Hereby, it can suppress the load dump of an armature winding 1 which outputs high voltage by the Zener diodes 6 having low breakdown voltage.例文帳に追加

これにより、低い降伏電圧をもつツェナダイオード６により高電圧を出力する電機子巻線１のロードダンプを抑制することができる。 - 特許庁

The breakdown voltage of the Zener diode 7 is set to be a first voltage lower than or equal to the withstand voltage between the source S and the gate G of the FET 3.例文帳に追加

ツェナーダイオード７の降伏電圧は、ＦＥＴ３のソースＳ及びゲートＧ間の耐電圧以下である第１の電圧に設定される。 - 特許庁

A charge current flows to a capacitor 27, which is turned on exceeding the breakdown voltage of a Zener diode 20.例文帳に追加

ツェナダイオード２０の降伏電圧以上でオンしているトランジスタ２７に充電電流が流れる。 - 特許庁