acid line materialとは 意味・読み方・使い方

The method for producing the aqueous solution of the glyoxylic acid comprises using a material to provide ≤100 ppm elution of the iron ions into the aqueous solution in a contact surface in a production line of the aqueous solution.例文帳に追加

本発明にかかるグリオキシル酸水溶液の製造方法は、グリオキシル酸を水溶液の状態で得る方法において、前記水溶液の製造ラインにおける接触面には、前記水溶液への鉄イオンの溶出が１００ｐｐｍ以下となる材質を使用する、ことを特徴とする。 - 特許庁

To provide a (meth)acrylic acid derivative as a material for the component resin of a resist composition, which is good not only in performance such as resolution, sensitivity and pattern form suitable for ArF excimer laser lithography but also in line edge roughness, and a method for producing the same.例文帳に追加

ＡｒＦエキシマレーザーリソグラフィに適した、解像度、感度、パターン形状などの性能に加えて、ラインエッジラフネスが良好であるレジスト組成物の成分樹脂の原料となる（メタ）アクリル酸誘導体およびその製造方法を提供する - 特許庁

(1) The silver halide photographic material contains sensitizing pigment, having at least one oxiazole nucleus inside a molecule, and immediately before applying an application liquid of a silver halide emulsion layer regulated at pH of 6.0 or higher, acid is added in line to set the application liquid of pH of 5.8 or lower.例文帳に追加

（１）分子内にオキサゾール核を少なくとも１つ有する増感色素を含有し、かつｐＨが６．０以上に調整された該ハロゲン化銀乳剤層の塗布液を塗布する直前に、酸をインライン添加して前記塗布液のｐＨを５．８以下にする。 - 特許庁

To provide a polyamic acid used as a raw material for an organic semiconductor material capable of changing the surface free energy of a film with radiation in a reduced amount of irradiation energy when forming a line for electrodes on a film by irradiating with energy rays to change the surface free energy of the film, coating the changed portion with a sliver nanoink and sintering.例文帳に追加

エネルギー線を照射し、膜の表面自由エネルギーを変化させ、該変化した部分に銀ナノインクを塗布し、焼成して、電極用ラインを形成する時、少ない照射エネルギーの照射線で膜の表面自由エネルギーを変化させることが可能な有機半導体材料の原料となるポリアミド酸の提供。 - 特許庁

Next, a line-and-space type resist mask extended in a [1-10] direction is formed thereon, and then, the semiconductor constituent material layer is etched using low-temperature hydrochloric acid as an etchant, thereby forming a semiconductor constituent material layer having a stripe-like mesa structure having a (111) face and a (11-1) face as an opposing side face.例文帳に追加

次に、その上に［１−１０］方向に延伸したライン・アンド・スペース型のレジストマスクを形成した後、低温の塩酸をエッチャントとして上記半導体構成材料層をエッチングして、（１１１）面および（１１−１）面を対向側面とするストライプ状のメサ構造を有する半導体構成材料層を形成する。 - 特許庁

To provide a high resolution resist material containing acid generation agent of polymer type which is highly sensitive and high resolution to high energy rays particularly to ArF excimer laser, F_2 excimer laser, EUV, X-rays and EB etc., small in line edge roughness and not water soluble, and stable to heat and preservation; and to provide a pattern formation method using the resist material.例文帳に追加

レジスト材料であって、高エネルギー線、特にはＡｒＦエキシマレーザー、Ｆ_2エキシマレーザー、ＥＵＶ、Ｘ線、ＥＢ等に対して高感度、高解像でラインエッジラフネスが小さく水への溶解がなく、十分な熱安定性、保存安定性を有するポリマー型の酸発生剤を含有する高解像性レジスト材料、及び該レジスト材料を用いたパターン形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a high resolution resist material containing an acid forming agent of a polymer which is highly sensitive to high energy rays, especially ArF excimer laser beams, F_2 excimer laser beams, EUV rays, X rays, and EBs with less line edge roughness in high resolution without dissolving in water but has sufficient heat stability and shelf life stability.例文帳に追加

レジスト材料であって、高エネルギー線、特にはＡｒＦエキシマレーザー、Ｆ_2エキシマレーザー、ＥＵＶ、Ｘ線、ＥＢ等に対して高感度、高解像でラインエッジラフネスが小さく水への溶解がなく、かつ十分な熱安定性、保存安定性を有するポリマー型の酸発生剤を含有する高解像性レジスト材料を提供する。 - 特許庁