amorphous ferromagnetic materialとは 意味・読み方・使い方

The product management label 1 is formed by transferring a ferromagnetic substance film 3 from heat-sensitive magnetic transfer foil having an amorphous ferromagnetic substance film provided on a base material so as to be transferred to a portion on the label base material 2 as information on manufacture management, and it can accurately and easily be decided whether the object article on which the label is stuck is authentic.例文帳に追加

本発明の製品管理ラベル１は、アモルファス強磁性体膜を基材上に転写可能に設けた感熱磁気転写箔から、該強磁性体膜３がラベル基材２上の一部に、製造管理の情報として転写されたものであり、そのラベルの貼付された対象品について、真贋判定を正確かつ簡単に行うことができる。 - 特許庁

This magnetoresistive effect element is constituted of at least a first magnetic layer, nonmagnetic layer, and second magnetic layer: the first magnetic layer is a ferromagnetic material having a low coercive force and parpendicular magnetic anisotropy, and the second magnetic layer is a ferromagnetic material having a high coercive force and parpendicular magnetic anisotropy and constituted of an amorphous alloy film made of rare-earth- transition metal having small saturation magnetism.例文帳に追加

少なくとも第１の磁性層、非磁性層、第２の磁性層から構成され、第１の磁性層は低い保磁力および垂直磁気異方性を有する強磁性体であり、第２の磁性層は高い保磁力および垂直磁気異方性を有する強磁性体であって、第２の磁性層は、小さな飽和磁化を有する、希土類−遷移金属からなる非晶質合金膜から構成される。 - 特許庁

The ferromagnetic semiconductor material is composed mainly of a semiconductor material belonging to the group II-VI, IV or III-V, contains at least either of a transition metal (excluding Mn when the main component belongs to the group IV) and a rare earth element as an additive element, and has an amorphous structure.例文帳に追加

ＩＩ−ＶＩ族、または、ＩＶ族、または、ＩＩＩ−Ｖ族の半導体材料を主成分とし、遷移金属（主成分をＩＶ族とした場合Ｍｎを除く）、または、希土類元素の少なくとも一方を添加元素として含み、アモルファスとする。 - 特許庁

In the recording medium 1 wherein at least the magnetic recording layer 7 and the heat sensitive recording layer 4 are sequentially layered on one surface of a base material 10, an amorphous ferromagnetic film 2 having peculiar magnetic characteristics is provided at a part of the other surface of the base material 10.例文帳に追加

基材１０の一方の面に、少なくとも磁気記録層７、感熱記録層４を順次積層した記録媒体１において、該基材１０の他方の面の一部に、固有の磁気特性を有するアモルファス強磁性体膜２を設けたものである。 - 特許庁

At least one bilayer consisting respectively of an amorphous or quasi-amorphous material 45 and a material having the same structure or the same crystal lattice as the antiferromagnetic layer is placed in the storage layer 40 between a ferromagnetic layer which is in contact with the semiconductor or insulation layer 42 with confined-current-paths and an antiferromagnetic layer.例文帳に追加

それぞれ非晶質または準非晶質の材料４５と、反強磁性層と同一の構造または同一の結晶格子を有する材料と、からなる１つ又はそれ以上の二重層が、前記半導体または制限電流路の絶縁層４２と接触する強磁性層と反強磁性層との間の前記記憶層４０に配置される。 - 特許庁

The recording carrier card has a first recording area in which information to be managed is recorded and a second recording area in which an amorphous ferromagnetic material layer having predetermined specific saturated magnetic characteristics is arranged at a place different from the first recording area and a necessary number of through holes are to be punched.例文帳に追加

記録担体カードは、管理対象情報を記録する第１の記録領域と、該第１の記録領域とは別の位置に予め定めた特定の飽和磁気特性を有するアモルファス強磁性材料層が配置されるとともに必要な個数のパンチ穴をあけることを予定して設けられた第２の記録領域とを備えた構成を有している。 - 特許庁

When vapor deposition is carried out at a substrate temperature close to room temperature, amorphous Fe_3Si is formed and when vapor deposition is carried out at a substrate temperature close to 400°C, Fe_3Si containing monosilicide (C-FeSi) is formed, and by carrying out annealing at a suitable temperature in either case, crystal of iron silicide ferromagnetic material Fe_3Si can be obtained.例文帳に追加

室温付近の基板温度で蒸着させた場合にはＦｅ_３Ｓｉのアモルファスが形成され、４００℃に近い基板温度で蒸着させた場合には、モノシリサイド（Ｃ−ＦｅＳｉ）を含有したＦｅ_３Ｓｉが形成されるが、いずれの場合にも適正な温度でアニールすれば、鉄シリサイド強磁性体Ｆｅ_３Ｓｉの結晶が得られる。 - 特許庁