anisotropic plasmaとは 意味・読み方・使い方

The sides 30a, 30b of the guard ring 30 are subjected to anisotropic wet etching after patterning by plasma etching.例文帳に追加

ガードリング３０の側面３０ａ，３０ｂは、プラズマエッチングによってパターニングされた後、異方性ウエットエッチングされている。 - 特許庁

To enable anisotropic ashing of a photoresist in high precision, without causing plasma damages.例文帳に追加

プラズマダメージを与えることなく、フォトレジストをプラズマ処理にて異方的に高精度にアッシングすることを可能とする。 - 特許庁

Subsequently, anisotropic plasma etching is executed so that a lower hole portion 42h of the contact hole 4h is formed to be small.例文帳に追加

続いて、異方性プラズマエッチングを行い、コンタクトホール４ｈの下穴部分４２ｈを小径に形成する。 - 特許庁

Next, the phase difference layer 62 is completed, by subjecting it to RIE plasma treatment which is an anisotropic etching on the phase difference layer body.例文帳に追加

次に、位相差層体に異方性エッチングであるＲＩＥプラズマ処理を施して位相差層６２を完成させる。 - 特許庁

By alternately performing anisotropic plasma etching using a gas containing NH_3 and CO and anisotropic plasma etching using Cl_2 gas while employing a hard mask 9 as a mask there are formed a nickel silicide layer 8a becoming a gate electrode and a polysilicon film 5a.例文帳に追加

ハードマスク９をマスクとして、ＮＨ_3とＣＯとを含むガスを用いた異方性のプラズマエッチングと、Ｃｌ_2ガスを用いた異方性のプラズマエッチングとを交互に行なうことによって、ゲート電極となるニッケルシリサイド層８ａおよびポリシリコン膜５ａが形成される。 - 特許庁

When the anisotropic plasma etching stage for the metal using corrosive gas is interrupted and then restarted, plasma is generated in a gas atmosphere in which the metal does not corrode, and then the plasma etching stage is restarted.例文帳に追加

腐食性ガスによる金属の異方性プラズマエッチング工程が中断された後に、前記プラズマエッチング工程を再開する場合において、前記金属を腐食させないガス雰囲気下において、プラズマを発生させた後に、前記プラズマエッチング工程を再開する。 - 特許庁

To provide a method of low-damage, anisotropic etching and cleaning of a substrate including a step of mounting the substrate upon a mechanical support part arranged within a positive column of a plasma discharge generated by either an ac or dc plasma reactor.例文帳に追加

基板をａｃ又はｄｃプラズマ反応装置のいずれかによって発生されたプラズマ放電の陽光柱内に配置された機械的支持部上への取り付けステップを含んだ基板の低損傷、異方性エッチング及びクリーニングの方法を提供する。 - 特許庁

Since the conductive film is formed on the whole surface of the substrate, the damage given to the element by the plasma process can be reduced, because the density of electric charges accumulated in a gate electrode during the course of the plasma process of anisotropic etching etc., can be reduced.例文帳に追加

導電性膜が全面に形成されていることにより、異方性エッチング等のプラズマによる処理（プラズマプロセス）においてゲート電極に蓄積される電荷密度を低減でき、プラズマプロセスによる損傷を低減できる。 - 特許庁