annealing lampとは 意味・読み方・使い方

The second silicon oxide film 10 is formed by a lamp annealing method.例文帳に追加

第２のシリコン酸化膜１０はランプアニール法で形成する。 - 特許庁

A lamp annealing apparatus has a combination of a quartz chamber 1 and a cooling chamber 2.例文帳に追加

石英チャンバ１と、冷却用チャンバ２との組み合わせを有している。 - 特許庁

To provide a pressurization type lamp anneal device capable of performing a lamp annealing process in a pressurized state.例文帳に追加

加圧した状態でランプアニール処理ができる加圧式ランプアニール装置を提供する。 - 特許庁

A lamp annealing apparatus is provided with means for heating a semiconductor film selectively and the temperature of a substrate is suppressed during annealing.例文帳に追加

ランプアニール装置に半導体膜を選択的に加熱する手段を設け、アニール中の基板の温度上昇を抑制する。 - 特許庁

In order to form a transistor, emitter annealing (lamp annealing: about 1000°C, about 30 seconds) is performed in a nitrogen atmosphere.例文帳に追加

トランジスタ形成のために窒素雰囲気中でのエミッタアニール（ランプアニール：１０００℃ 前後 ３０秒程度）を行う。 - 特許庁

After an interlayer insulation film 100 is formed prior to lamp annealing, a lamp light absorption film 110 is deposited to thereafter lamp-anneal processing.例文帳に追加

層間絶縁膜１００の形成後、ランプアニール処理前に、ランプ光吸収膜１１０を堆積し、その後、ランプアニール処理を行う。 - 特許庁

To prevent uneven heat distribution from occurring within a semiconductor substrate in a lamp annealing process.例文帳に追加

ランプアニール処理において半導体基板内に熱分布が生じることを抑制する。 - 特許庁

HEAT TREATMENT METHOD, METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR APPARATUS, AND FLASH LAMP ANNEALING APPARATUS例文帳に追加

熱処理方法、半導体装置の製造方法、及びフラッシュランプアニール装置 - 特許庁