antiferromagnetic interactionとは 意味・読み方・使い方

At least one separating layer 73 for suppressing exchange interaction to the ferromagnetic layer 70 by the antiferromagnetic layers 71 is formed in the magnetic shielding layer 7.例文帳に追加

磁気シールド層７に、反強磁性層７１による強磁性層７０への交換相互作用を抑制する分離層７３を少なくとも一層形成した。 - 特許庁

Consequently, the magnetization of the both side areas 15a of the free magnetic layer 15 can be fixed by appropriately forming the magnetization in a single magnetic domain in the track width direction by the synergistic effect of a magnetic field bonded with exchange interaction generated between the magnetic layer 15 and the third antiferromagnetic layers and a vertical bias magnetic field from the hard bias layers 18.例文帳に追加

これにより前記フリー磁性層１５の両側領域１５ａの磁化を、前記第３反強磁性層２１との間で発生する交換結合磁界と、ハードバイアス層１８からの縦バイアス磁界との相乗効果によって、適切にトラック幅方向に単磁区化し固定することができる。 - 特許庁

Control in the magnetizing direction of the free magnetic layer 26 is adjusted by two stages of the intensity of the exchange coupled magnetic field between the second antiferromagnetic layer 23 and the ferromagnetic layer 24 and the intensity of the RKKY interaction between the ferromagnetic layer 24 and the free magnetic layer 26, thus easily carrying out fine control.例文帳に追加

フリー磁性層２６の磁化方向の制御は、第２反強磁性層と強磁性層２４間の交換結合磁界の大きさと、強磁性層２４とフリー磁性層２６間のＲＫＫＹ相互作用の大きさの２段階で調節されることになり、細かな制御を容易に行うことができる。 - 特許庁

Therefore, the exchange coupling magnetic field (Hex) generated between a 1st magnetic layer 13 and the antiferromagnetic layer 4 can be increased and a coupling magnetic field due to RKKY interaction can be also increased, so that a unidirectional exchange bias magnetic field (Hex*) in the fixed magnetic layer 3 can be suitably increased as compared with a conventional method.例文帳に追加

これによって第１の磁性層１３と反強磁性層４との間で発生する交換結合磁界（Ｈｅｘ）を大きくできると同時に、ＲＫＫＹ相互作用における結合磁界を大きくでき、したがって固定磁性層３における一方向性交換バイアス磁界（Ｈｅｘ*）を従来に比べて適切に大きくすることができる。 - 特許庁