argon irradiationとは 意味・読み方・使い方

By irradiation of argon excimer light generated by an argon excimer lamp 1, an oxide coating film of a silicon wafer 8 is decomposed.例文帳に追加

アルゴンエキシマランプを用いて、シリコンウエハの酸化皮膜（ＳｉＯ_２）のＳｉ−Ｏ結合を切断分解処理する。 - 特許庁

A mass-separating ion irradiation device 1a is composed of an argon-ion sputtering ion source 2, pullout electrodes 3, an electromagnet 4 for mass separation, an accelerator 5, a scanning electrode 6 and a base plate 7.例文帳に追加

質量分離型のイオン照射装置１ａは、アルゴンイオンによるスパッタ式のイオン源２、引き出し電極３、質量分離用電磁石４、加速管５、走査電極６、基板７から構成される。 - 特許庁

Ultraviolet light with a wavelength about 363.8 nm emitted from an argon ion laser 10 is condensed on a wafer of a measuring object test piece 60 through a condensing irradiation mechanism 40 and the like.例文帳に追加

アルゴンイオンレーザ１０から発せられる波長約３６３．８ｎｍの紫外光を集光照射機構４０等を介して測定対象試料６０であるシリコンウェーハ上に集光させる。 - 特許庁

Before forming a conductive film 6 on a surface of a photoresist layer 1, a post-exposure/cleaning baking for the photoresist layer 1 is not performed, then, a ultraviolet ray irradiation is performed in an inactive gas such as a nitrogen gas or an argon gas.例文帳に追加

フォトレジスト層１の表面に導電皮膜６を形成する前に、フォトレジストの現像・洗浄後にベークを行わず、その後、窒素またはアルゴンガスといった不活性ガス中で紫外線照射を行う。 - 特許庁

The comparatively smooth surface of the intermediate layer (IL) so obtained is denaturalized by irradiation with ion, such as sputter etching in an argon ambient atmosphere, to form surface roughness in a nano-scale and to grow the recording layer (RL) on it.例文帳に追加

そのようにして得られた比較的平滑な中間層(IL)の表面をアルゴン雰囲気中でのスパッタエッチング等のイオン照射により変性し、ナノスケールの粗さとし、その上に記録層(RL)を成長させる。 - 特許庁

In an irradiation chamber, it is transported and is irradiated with an electron beam while blowing an argon gas from a gas supply component into the hollow object to give a sterilization treatment to it.例文帳に追加

照射室内において被処理物を搬送し、中空状の被処理物内にガス供給部からのアルゴンガスを流しながら被処理物に電子線を照射して、被処理物に対して滅菌処理を行う。 - 特許庁

The SiO2-GeO2-base glass thin film 12 formed on a substrate 10 is subjected to irradiation with ion beams of argon ions, etc., only at the specified portions where the glass transition temperature is made lower than that of the non-irradiated portions by cutting between silica networks.例文帳に追加

基板１０上に形成したＳｉＯ_2−ＧｅＯ_2系ガラス薄膜１２に、アルゴンイオン等のイオンビーム照射を特定部位のみに行い、シリカネットワーク間の切断によりガラス転位温度を非照射部位より低下させる。 - 特許庁