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avalanche breakdown voltageとは 意味・読み方・使い方
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意味・対訳 電子なだれ降伏電圧; アバランシェ破壊電圧
「avalanche breakdown voltage」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 35件
To provide a semiconductor device capable of having a high breakdown voltage and high avalanche resistance, and achieving low on-state resistance.例文帳に追加
高耐圧、高アバランシェ耐量、および低オン抵抗を実現できる半導体装置を提供する。 - 特許庁
To provide a high breakdown voltage ESD protection diode which can be formed using the same manufacturing process as for the high breakdown voltage transistor to be protected with the high avalanche resistance.例文帳に追加
アバランシェ耐量が高く、保護する高耐圧トランジスタと同製造工程を用いて形成できる高耐圧ESD保護ダイオードを提供する。 - 特許庁
To provide a semiconductor device in which an avalanche breakdown is stably generated in a pn junction when a breakdown voltage is applied, and to provided a method of manufacturing the same.例文帳に追加
降伏電圧が印加されたときにpn接合になだれ降伏が安定して生じる半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁
Avalanche breakdown arises under the bottom faces of the base diffusion regions 17a, however, avalanche current does not flow in a high-resistance portion immediately below source diffusion regions 21 of the base diffusion regions 17a, resulting in a high breakdown voltage.例文帳に追加
ベース拡散領域17a底面下でアバランシェ降伏が生じ、ベース拡散領域17aのソース拡散領域21直下の高抵抗部分をアバランシェ電流が流れないので、破壊耐量が高い。 - 特許庁
To provide a SiC semiconductor device capable of relaxing current concentration during avalanche breakdown and capable of improving breakdown voltage and avalanche resistance.例文帳に追加
アバランシェ降伏時の電流集中を緩和することができ、耐圧およびアバランシェ耐量をともに向上させることができる、SiC半導体装置を提供すること。 - 特許庁
After the electrostatic charge exceeds the breakdown voltage of an LDMOS transistor 21 during an ESD phenomenon, the LDMOS transistor 21 is turned into avalanche yield.例文帳に追加
ESD現象の間、静電電荷がLDMOSトランジスタ(21)の降伏電圧を越えた後、LDMOSトランジスタ(21)はアバランシェ降伏に入る。 - 特許庁
To provide a trench-gate type semiconductor device that can improve avalanche resistance and main breakdown voltage.例文帳に追加
本発明は、アバランシェ耐量と主耐圧を向上させることができるトレンチゲート型半導体装置を提供することを目的とする。 - 特許庁
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「avalanche breakdown voltage」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 35件
Since the first channel of a wide forbidden band at time of high electric field becomes the main, an avalanche voltage becomes high, and breakdown strength can be enhanced.例文帳に追加
高電界時には広禁制帯幅の第1のチャネルが主となるため、アバランシェ電圧が高くなり、耐圧を向上することが可能となる。 - 特許庁
The threshold voltage of the memory transistor is controlled through injecting the charges generated by an avalanche breakdown into the control gate CG.例文帳に追加
メモリトランジスタは、アバランシェブレークダウンにより発生した電荷の制御ゲートCGへの注入によってしきい値電圧が制御される。 - 特許庁
To provide a PIN diode in which breakage by the application of reverse direction bias equal to or higher than an avalanche breakdown voltage is prevented and loss is reduced by improving avalanche resistance.例文帳に追加
アバランシェ耐量を向上させることにより、アバランシェ降伏電圧以上の逆方向バイアスの印加による破損を抑制し、低損失化を実現させたPINダイオードを提供する。 - 特許庁
To provide an avalanche photodiode which is capable of supplying desired stable avalanche breakdown voltage and which has an electric field control layer by means of an electron as an effective carrier.例文帳に追加
電子を実効キャリアとする電界制御層を用いたアバランシェフォトダイオードにおいて、所望とするアバランシェブレークダウン電圧が安定して得られるようにする。 - 特許庁
With such a configuration, since the avalanche resistance can be remarkably improved, it is made possible to lower the loss without lowering the avalanche breakdown voltage.例文帳に追加
このような構成により、アバランシェ耐量を著しく向上させることができるので、アバランシェ降伏電圧を低下させ、低損失化を実現することが可能となる。 - 特許庁
To provide an avalanche breakdown-type constant voltage diode with a stable and high breakdown voltage without being affected by ions which exist in the vicinity of a semiconductor substrate surface.例文帳に追加
半導体基板の表面近傍に存在するイオンの影響を受ける事なく、ブレークダウン電圧が安定し且つ高耐圧が可能なアバランシェ降伏型の定電圧ダイオードを提供する。 - 特許庁
The resistance of the resistor 23 is adjusted so that a voltage being a product of the resistance of the resistor 23 and a current supplied through the avalanche diode 21 when the collector- emitter voltage exceeds the breakdown voltage of the avalanche diode 21 exceeds a threshold voltage of the IGBT 2 or more.例文帳に追加
抵抗23の値は、コレクタ・エミッタ間電圧がアバランシェダイオード21の耐圧を越える時に流れる電流と抵抗23との積で与えられる電圧がIGBT2のしきい値電圧以上となる様に、調整される。 - 特許庁
To provide a diode having good static electricity breakdown voltage by eliminating the generation of the local avalanche breakdown phenomenon when a backward direction static electricity surge is applied.例文帳に追加
逆方向の静電気サージが印加されたときに、局所的な雪崩降伏現象を起こすことをなくし、良好な静電気破壊耐性を有するダイオードを提供する。 - 特許庁
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