b doped Siとは 意味・読み方・使い方

To form an Si epitaxial growth film in which B of a uniform B concentration is doped, a SiGe epitaxial growth film in which B is doped and a SiGe epitaxial growth film in which B and C are doped.例文帳に追加

Ｂ濃度が均一なＢがドーピングされたＳｉエピタキシャル成長膜、ＢがドーピングされたＳｉＧｅエピタキシャル成長膜、ＢとＣがドーピングされたＳｉＧｅエピタキシャル成長膜を形成する。 - 特許庁

A high-concentration B-doped region is formed on the top surface of an Si layer serving as the cap layer, and an area around a joint between the high-concentration B-doped region and the emitter is reduced in dopant concentration.例文帳に追加

キャップ層となるＳｉ層上面に、高濃度のＢドープ領域を形成すると同時にエミッタとの接合部近傍のドーパント濃度を低くする。 - 特許庁

An n-type emitter region 2e and a collector region 2c are formed on two points on a surface of a p-type Si substrate 1 doped with B ions.例文帳に追加

Ｂイオンがドーピングされたｐ型のＳｉ基板１の表面の２箇所にｎ型のエミッタ領域２ｅ及びコレクタ領域２ｃを形成する。 - 特許庁

This method of manufacturing a semiconductor device includes processes of: supplying a hydrogen chloride gas into a reaction chamber simultaneously with supply at least a B source out of a material gas including the B source containing Cl and a Si source containing H when growing a polysilicon film doped with B on a semiconductor substrate by supplying the material gas into the reaction chamber; and supplying a purge gas into the reaction chamber to discharge the material gas and the hydrogen chloride gas.例文帳に追加

Ｃｌを含むＢ源と、Ｈを含むＳｉ源を有する原料ガスを反応室内に供給して、半導体基板上にＢがドープされたポリシリコン膜を成長させる際に、前記原料ガスのうち、少なくともＢ源の供給と同時に塩化水素ガスを前記反応室内に供給する工程と、パージガスを前記反応室内に供給して、前記原料ガス及び前記塩化水素ガスを排出する工程と、を具備してなることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 特許庁