backside‐illuminationの英語

To provide an epitaxial substrate for a backside illumination type solid-state image pickup element capable of suppressing metal contamination and reducing the occurrence of blemish defects in a solid-state image pickup element by maintaining a sufficient gettering capacity during a device manufacturing process, and to provide a method of manufacturing the epitaxial substrate for the backside illumination type solid-state image pickup element.例文帳に追加

デバイス製造工程中、十分なゲッタリング能力を維持することで、金属汚染を抑制し、固体撮像素子の白傷欠陥の発生を低減させることができる裏面照射型固体撮像素子用エピタキシャル基板およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To facilitate preventing a reduction in sensitivity even in a long-wavelength region while increasing the number of pixels for a backside-illumination solid-state image sensor.例文帳に追加

裏面照射型の固体撮像素子について、高画素化を実現しながら、長波長領域においても容易に感度の低下を抑制することを目的とする。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a backside illumination type imaging device forming an impurity semiconductor layer on a semiconductor detection element by an activation heat treatment.例文帳に追加

活性化熱処理により半導体検出素子上に不純物半導体層を形成することが可能な裏面照射型撮像素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a backside illumination CMOS image sensor with photodiodes for refracting incoming photon into central parts of the photodiodes, and a manufacturing method for such an image sensor.例文帳に追加

入射される光子をフォトダイオードの中央部分に屈折させるフォトダイオードを備えるバックサイドイルミネーションＣＭＯＳイメージセンサ及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device, which is a backside-illumination solid-state image pickup element and has a structure for preventing optical crosstalk due to reflection from a wiring layer even in a pixel located at an end of a chip.例文帳に追加

裏面照射型の固体撮像素子であって、チップの端部に位置する画素においても、配線層からの反射による光クロストークを抑制する構造を有する半導体装置を提供する。 - 特許庁

In a backside illumination type solid state image sensor, an alignment mark (a polysilicon layer 9 of a predetermined shape) is formed on the surface of a substrate with reference to an alignment mark identical to that for a light-receiving sensor 4.例文帳に追加

裏面照射タイプにおいて、受光センサ４に対するアライメントマークと同一のアライメントマークを基準として基板表面に位置合わせ用マーク（所定形状のポリシリコン層９）形成する。 - 特許庁

To provide an image sensor having a backside illumination structure capable of maximizing a light receiving area per pixel, i.e., maximizing a degree of saturation, by maximizing photosensitivity, and to provide a method of manufacturing the image sensor.例文帳に追加

光感度を極大化してピクセル当り受光面積、すなわち、飽和度を極大化させうる背面照明構造のイメージセンサー及びそのイメージセンサーの製造方法を提供する。 - 特許庁

To improve manufacturing efficiency and element accuracy by carrying out various positionings readily and properly during manufacturing of an amplification type solid-state image sensing element (CMOS image sensor) of a so- called backside illumination type.例文帳に追加

いわゆる裏面照射型の増幅型固体撮像素子（ＣＭＯＳイメージセンサ）の作製時における各種の位置合わせを容易かつ適正に行い、製造効率および素子精度を改善する。 - 特許庁