beneath the maskとは 意味・読み方・使い方

First, the protection film and the semiconductor layer are etched using the photosensitive film pattern as an etching mask, thereby the gate insulating film located beneath the third portion and the protection film located beneath the second portion are exposed.例文帳に追加

まず、感光膜パターンをエッチングマスクとして保護膜と半導体層をエッチングして第３部分の下のゲート絶縁膜と第２部分の下の保護膜を露出する。 - 特許庁

The mask plate, which is superposed with the tray by the detachably holding means and is beneath the tray, is mounted on an XY plate.例文帳に追加

着脱手段によりトレイと重ねられトレイの下側になった状態のマスクプレートをＸＹプレートに載置する。 - 特許庁

When a mask body 11 covers the mouth and the nose, an under- nose space (a) is secured beneath the nostrils by a pad 13 for use in public.例文帳に追加

マスク本体１１で口および鼻を覆うと、人中パッド１３により鼻孔下に鼻下空間ａが確保される。 - 特許庁

In particular, the formed bit line trenches have a uniform width and uniform spacing to adjacent bit lines because connection holes are formed only directly beneath the etch mask that defines the bit lines.例文帳に追加

特に、接続孔は、ビット線を規定するエッチマスク直下にのみ形成されるので、形成されるビット線トレンチは、均一な幅になり、かつ隣接するビット線と均一な間隙になる。 - 特許庁

A convex occupancy calculator 22 calculates the thickness of a layer which is the object of simulation on the basis of mask data immediately beneath the layer which is the object of simulation, and calculates the convex occupancy on the basis of the altitude of a lower layer and the thickness of the layer which is the object of simulation.例文帳に追加

凸部占有率算出部２２は、シミュレーション対象層の直下のマスクデータに基づいてシミュレーション対象層の膜厚を算出し、下層の標高とシミュレーション対象の膜厚とに基づいて凸部占有率を算出する。 - 特許庁

Thereafter, the polysilicon film 6 is etched anisotropically using the third insulation film 10a and the second insulation film 8a as a mask thus forming a floating gate 12 beneath the third insulation film 10a and forming the lower electrode of the resistor element 2a and the capacitor element 2b below the second insulation film 8a.例文帳に追加

その後、第３の絶縁膜１０ａと第２の絶縁膜８ａとをマスクにポリシリコン膜６を異方性エッチングして、第３の絶縁膜１０ａ直下にフローティングゲート１２を形成すると共に第２の絶縁膜８ａ下に抵抗素子２ａ及び容量素子２ｂの下部電極を形成する。 - 特許庁

Subsequently, impurities are implanted in the semiconductor layer 2 using a gate electrode 9 formed by providing second conductive parts 8 on the opposite sides of the gate electrodes 4 and 5 of second shape as an impurity implantation mask thus forming an overlap region 6 beneath the second conductive part 8.例文帳に追加

その後、上記第２の形状のゲート電極４，５の両側部に第２の導電部８を設けることにより形成したゲート電極９を不純物注入マスクとし、半導体層２に対して不純物を注入して、上記第２の導電部８の下方にオーバーラップ領域６を形成する。 - 特許庁