buried contact structureとは 意味・読み方・使い方

To obtain a semiconductor device having a buried wiring structure employing copper in which barrier metal is removed from the contact hole portion of a Cu buried interconnect line and resistance is reduced sufficiently between an upper layer interconnect line and a lower interconnect line.例文帳に追加

この発明は、銅を用いた埋め込み配線構造を有する半導体装置に関し、Ｃｕ埋め込み配線の接続孔部分からバリアメタルを排除し、かつ、上層配線と下層配線との間の抵抗値を十分に小さくすることを目的とする。 - 特許庁

Consequently, this can form the semiconductor device having a JFET with a structure capable of further minimizing the contact structure between the buried gate layer 10 and the gate wiring 12.例文帳に追加

したがって、埋込ゲート層１０とゲート配線１２とのコンタクト構造をより微細化できる構造としたＪＦＥＴを有する半導体装置とすることが可能となる。 - 特許庁

To make electric contact between an electrode and a substrate on the order of atoms by burying a dopant material in the terrace on a semiconductor substrate and laminating a metal layer on the dopant-buried surface rearranged structure.例文帳に追加

半導体表面のテラス内に埋め込まれた半導体表面上にドーパント材料を埋め込み、表面再配列構造を形成し、半導体結晶と原子オーダで電気的接触をとる。 - 特許庁

This structure includes a metal interconnection right under a device in which one or a plurality of interconnection layers are in contact with a silicon insulating film from under the device via a buried oxide film.例文帳に追加

この構造はデバイスの直下に金属相互接続を含み、そこでは１層または複数の相互接続層が埋め込み酸化膜を介してデバイスの下からシリコン絶縁膜と接触している。 - 特許庁

To provide a structure of a semiconductor device capable of preventing etching of a buried insulating film in forming a contact opening by etching.例文帳に追加

本発明はコンタクト開口をエッチングにより形成する際の、埋込絶縁膜のエッチングを防ぐことが可能な半導体装置の構造の提供を目的とする。 - 特許庁

To provide a structure such that when a contact opening is formed by etching, a buried insulating film, which is positioned below it, is not etched.例文帳に追加

本発明はコンタクト開口をエッチングにより形成した場合にその下に位置する埋込絶縁膜がエッチングされないようにした構造の提供を目的とする。 - 特許庁

Holes having about 8-10 mm of diameter are drilled in plural portions around a contact area having the possibility of metal touch between the buried pipe 1 and other structure.例文帳に追加

埋設管１が他の構造物とメタルタッチしていると疑わしい接触区域を中心にして複数個所に直径が８〜１０ｍｍ程度の孔を掘り下げる。 - 特許庁

A buried layer is formed by selective growth, and the structure of a p-type clad layer has an inverse trapezoidal shape, so that the resistance of the p-type clad layer and the resistance of the p-type contact layer can be reduced.例文帳に追加

埋め込み層を選択成長により形成し、p型クラッド層の構造を逆台形状とすることにより、p型クラッド層の抵抗、p型コンタクト層の抵抗を低減する。 - 特許庁