channeling ionとは 意味・読み方・使い方

To prevent channeling in an ion-exchange resin and suppress a fluctuation width of a pH value by decreasing the flow amount of raw water in an ion water generator.例文帳に追加

イオン水生成装置において、イオン交換樹脂内でのチャネリングを防止し、原水の流量の減少によるｐＨ値の変動幅を抑制する。 - 特許庁

At this time, the angle of ion implantation is within ±3° with respect to the orientation of the semiconductor substrate, namely where a channeling phenomenon occurs.例文帳に追加

このとき、イオン注入の角度は、半導体基板の面方位、すなわち、チャネリング現象が発生する結晶面の面方向に対して±３°以内の角度とする。 - 特許庁

To provide an ion injection device injecting ions while controlling an affection resulting from channeling for each substrate to be treated by measuring a surface direction for each substrate.例文帳に追加

被処理基板毎に面方位を測定することにより、被処理基板毎にチャネリングによる影響を制御しながらイオン注入を行うイオン注入装置を提供する。 - 特許庁

Then, the phosphorus of dose amount 1E13 cm-2 is ion-implanted into the semiconductor substrate 2 with the energy of 50 keV at an angle which does not cause a channeling phenomenon.例文帳に追加

次にドーズ量１Ｅ１３ｃｍ^-2の燐をチャネリング現象を起し得ない角度で且つ５０ｋｅＶのエネルギーで半導体基板２の内部に向けてイオン注入する。 - 特許庁

To minimize channeling of impurity and diffusion of a gate impurity which arise in the process for activation and implantation of impurity ion.例文帳に追加

不純物イオンの注入及び活性化の過程で生じる不純物のチャネリング及びゲート不純物の拡散現象を最小化するに適したデュアルゲートMOSトランジスタの製造方法を提供する。 - 特許庁

To prevent channeling in ion implantation, and to prevent any impurity from damaging an insulating film in a lower layer, and to reduce the increase of the crystal grain diameter of a crystallized amorphous semiconductor film.例文帳に追加

イオン注入におけるチャネリングを回避し、不純物が下層の絶縁膜に損傷を与えるのを防止するとともに、結晶化された非晶質半導体膜の結晶粒径の大粒径化を抑制する。 - 特許庁

To provide a water treatment apparatus capable of obtaining ion exchange capacity corresponding to a vessel package quantity of ion exchange resin by preventing a channeling or a wall-flow of vessel influence water from occurring and by efficiently and effectively utilizing the ion exchange capacity of the ion exchange resin in the vessel with respect to the water treatment apparatus having the ion exchange resin packed in the vessel.例文帳に追加

容器内にイオン交換樹脂が充填された水処理装置において、容器流入水の偏流や壁流の発生を防止して、容器内のイオン交換樹脂のイオン交換容量を無駄なく有効に利用して容器充填量に見合うイオン交換容量を得、水処理装置のイオン交換樹脂の交換頻度を低減する。 - 特許庁

B ion is directly implanted at high energy on the main surface side of a semiconductor substrate 1 in the direction of crystal axis of the semiconductor substrate 1 to cause ion channeling, by way of a specified resist pattern 3 to form a peak part in impurity concentration of a p-type well 4.例文帳に追加

Ｐ型ウェル４の不純物濃度のピーク部分を形成するために所定のレジストパターン３を介して、半導体基板１の主面側に直に高エネルギーでＢイオンをイオンチャネリングを起こすように半導体基板１の結晶軸の方向にイオン注入する。 - 特許庁