charge‐carrier mobilityの英語

To provide a new doping method which can induce charge carrier mobility and electric conductivity and increase them, and to provide a new material suitable as a dopant.例文帳に追加

有機半導体材料に電荷キャリア移動度と電気伝導度を誘発し増加させる新しいドーピング方法、および、ドーピング剤として好適な新しい材料を得る。 - 特許庁

To provide a method for fabricating an organic thin film transistor, whereby processes are simplified, costs are reduced, and the organic thin film transistor having a high charge carrier mobility and a high on/off current ratio can be fabricated.例文帳に追加

工程の単純化およびコストの節減を図るとともに、電荷移動度および電流点滅比の高い有機薄膜トランジスタを製造することが可能な有機薄膜トランジスタの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide an electrophotographic image forming member having a thick and strong overcoat which is excellent in adhesion property with a charge transfer layer, which has large charge carrier mobility and wear resistance.例文帳に追加

電荷輸送層への接着性に優れ、電荷担体移動度が大きく、より厚い耐摩耗性の強靱なオーバーコートを備えた、電子写真用画像形成部材を提供する。 - 特許庁

The gate electrode is formed with an intrinsic stress determined to influence, and preferably optimize, charge carrier mobility within the channel region.例文帳に追加

ゲート電極は、チャネル領域内の電荷キャリア移動度に影響を及ぼし、好ましくは最適化するように決定される固有応力を備えて形成される。 - 特許庁

The method to increase electronic charge carrier mobility in a bipolar device includes the steps of generating compression strain in the device to increase hole mobility on the device's internal base, and causing tensile strain in the device to increase electron mobility on the internal base of the device.例文帳に追加

バイポーラ・デバイスにおいて電荷キャリアの移動度を増加させる方法は、該デバイス内に圧縮歪みを生じさせて、該デバイスの内部ベースにおける正孔移動度を増加させるステップと、該デバイス内に引っ張り歪みを生じさせて、該デバイスの該内部ベースにおける電子移動度を増加させるステップと、を含む。 - 特許庁

A semiconductor, a charge transfer material, a component or a device contains a polymer which contains at least one withdrawing group coupled with the polymer as the dopant for inducing or increasing the charge carrier mobility and electric conductivity.例文帳に追加

ポリマーに結合する少なくとも１個の電子求引基を電荷キャリア移動度または電気伝導度を誘発または強化するためのドーピング剤として含むポリマー、を含む、半導体または電荷移動材料、部品またはデバイスを提供する。 - 特許庁

The energy-band-modifying layer includes at least one non-semiconductor molecular layer constrained within a crystal lattice adjacent to the base semiconductor portion so that the superlattice has higher charge carrier mobility in the parallel direction than a case without the superlattice.例文帳に追加

前記エネルギーバンド調整層は、基本半導体部分に隣接する結晶格子内に取りこまれた、少なくとも一つの非半導体分子層を有し、前記超格子は、超格子が存在しない場合に比べて、前記平行な方向において大きな電荷キャリア移動度を有する。 - 特許庁