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close annealingとは 意味・読み方・使い方

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意味・対訳 密閉焼鈍


クロスランゲージ 37分野専門語辞書での「close annealing」の意味

close annealing


「close annealing」の部分一致の例文検索結果

該当件数 : 5



例文

Accordingly, the thermal conditions becomes close each other in a gate region and a non-gate region, and it becomes possible to optimize the process conditions for laser annealing, covering both regions, consequently this thin film transistor can materialize the magnification of the crystal size.例文帳に追加

従って、ゲート領域と非ゲート領域とで熱的な条件が近くなり、両領域に亘ってレーザアニールのプロセス条件を最適化することが可能となり、結果として結晶サイズの拡大化を実現できる。 - 特許庁

Moreover, since its linear expansion coefficient lies in the range of 19 to 24×10-6/°C and is extremely close to that of A5000 series aluminum alloys, the flattening degree of a disk obtd. by pressure annealing can satisfactorily be secured.例文帳に追加

また、線膨張係数が19〜24×10^-6/℃の範囲内で、A5000系のアルミニウム合金にきわめて近いため、加圧焼鈍によって得られるディスクの平坦度も良好に確保することができた。 - 特許庁

To solve the problem that the irradiation of a semiconductor film with a higher harmonic wave CW laser while being relatively scanned with the higher harmonic wave CW laser makes the semiconductor film obtain the characteristics substantially close to a single crystal in a scanning direction, however, output of the higher harmonic wave CW laser small and the annealing efficiency poor in a manufacturing process for a semiconductor device.例文帳に追加

半導体装置の作製工程において、高調波のCWレーザを半導体膜上に相対的に走査させながら照射すると、走査方向に延びた長い結晶粒がいくつも形成される。 - 特許庁

An SiO_2 insulation film is formed on a P-type GaAs cap layer by a plasma CVD method and a region close to an end surface of a waveguide on the SiO_2 insulation film is subjected locally to a thermal annealing treatment by using a carbon dioxide gas laser, a YAG laser, or an infrared lamp.例文帳に追加

P型GaAsキャップ層上にプラズマCVD法によってSiO_2絶縁膜を形成して、そのSiO_2絶縁膜上の導波路の端面近傍の領域に、炭酸ガスレーザ、YAGレーザまたは赤外ランプのいずれかを用いて局所的に熱アニール処理を行う。 - 特許庁

例文

When vapor deposition is carried out at a substrate temperature close to room temperature, amorphous Fe_3Si is formed and when vapor deposition is carried out at a substrate temperature close to 400°C, Fe_3Si containing monosilicide (C-FeSi) is formed, and by carrying out annealing at a suitable temperature in either case, crystal of iron silicide ferromagnetic material Fe_3Si can be obtained.例文帳に追加

室温付近の基板温度で蒸着させた場合にはFe_3Siのアモルファスが形成され、400℃に近い基板温度で蒸着させた場合には、モノシリサイド(C−FeSi)を含有したFe_3Siが形成されるが、いずれの場合にも適正な温度でアニールすれば、鉄シリサイド強磁性体Fe_3Siの結晶が得られる。 - 特許庁

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「close annealing」の意味に関連した用語
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