connecting trenchとは 意味・読み方・使い方

By dry etching, a second trench connecting with this is successively formed on a first trench bottom and the first deposit 7 is covered with a second SiO2-based deposit 8.例文帳に追加

続いて、ドライエッチングにより、前記第１のトレンチ底部に、これと連なる第２のトレンチを形成すると共に、前記第１の堆積付着物７をＳｉＯ_2系の第２の堆積付着物８で覆う。 - 特許庁

A power transistor T2 adjoining the power transistor cell T1 has a second trench 42 formed by connecting a second first-stage trench 421 and a second second-stage trench 422 to each other, and also has a third semiconductor region (body region) 52 with a uniform width in the first semiconductor region (drift layer) 3 along an internal wall of the second first-stage trench 421.例文帳に追加

パワートランジスタセルＴ１に隣り合うパワートランジスタＴ２は、第２の一段目トレンチ４２１及び第２の二段目トレンチ４２２を連結した第２のトレンチ４２を備え、第２の一段目トレンチ４２１の内壁に沿った第１の半導体領域（ドリフト層）３に均一幅を有する第３の半導体領域（ボディ領域）５２を備える。 - 特許庁

The opening trench 17 side end of the female screw 11 is placed in the neighborhood of a line connecting the holding parts 16 on both the ends.例文帳に追加

両端部の当たり部１６を結ぶ線上に雌ねじ部１１の開口溝１７側の端部付近を位置させる。 - 特許庁

To provide a semiconductor device and a manufacturing method of the same, capable of suppressing the variety of resistance values of connecting parts caused by the deviation of processing positions of the connecting parts between a trench capacitor and a transistor in the semiconductor device employing the trench capacitor and of reducing the resistance values themselves.例文帳に追加

トレンチキャパシタを用いた半導体装置におけるトレンチキャパシタとトランジスタとの接続部の加工位置ずれに起因する当該接続部の抵抗値のばらつきを抑制すると共にその抵抗値自体を低減する半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

Further, in a (p) base region on the bottom of a trench, an n+ source region and a p+ contact region are formed, and a source electrode is connected to an n+ source region and p+ contact region respectively via a source connecting conductor and a p+ connecting conductor.例文帳に追加

また、トレンチ底部のｐベース領域内に、ｎ^+ ソース領域とｐ^+ コンタクト領域とを形成し、ソース電極とｎ^+ ソース領域、ｐ^+ コンタクト領域とをそれぞれソース接続導体、ｐ^+ 接続導体で接続する。 - 特許庁

Impurity concentrations in distal portions (front and back distal portions) 14a of the trench gate electrode 14 covering a wide range of the insulating film 12a adjacent to corners 10a of the trench 10 in a gate intermediately connecting portion 18 and in a partial gate pad 20 are lower than that of an intermediate portion 14c of the trench gate electrode14 or the like.例文帳に追加

トレンチ１０のコーナー部１０ａに隣接する絶縁膜１２ａを広い範囲で覆うトレンチゲート電極１４の端部（前端部、後端部）１４ａ、ゲート中継部１８、一部のゲートパッド２０の不純物濃度は、トレンチゲート電極１４の中間部１４ｃ等の不純物濃度に比べて低い。 - 特許庁

A conductive plate 26 is brought to a floating potential in a DC, and a trench plate 24 is formed between a source electrode 28 and the buried oxide film 21, thus connecting the conductive plate 26 on the source electrode 28 side through the trench plate 24.例文帳に追加

導電プレート２６を直流的にフローティング電位にし、ソース電極２８と埋込み酸化膜２１との間にトレンチプレート２４を設けることにより、トレンチプレート２４を介して導電プレート２６をソース電極２８側に接続する。 - 特許庁

The isolation trench lower-part is filled with a conductive material 14, which material comprises a side wall part which is at least partially separated from the trench lower-part side wall by a first electric insulator and a lower part electrically connecting to the semiconductor body.例文帳に追加

アイソレーショントレンチ下部は導電材料１４で充填され、この材料は第１の電気的絶縁体によりトレンチ下部側壁から少なくとも部分的に分離された側壁部分と、半導体ボディと電気的に接触した下部を有する。 - 特許庁