critical forming areaとは 意味・読み方・使い方

To provide a method for producing a mask blank for obtaining uniformity of desired film thickness in a plane of a resist film (≤100 Å) in a prescribed critical area, even when the critical area (substantial pattern forming area) for uniformity of film thickness in a plane of a resist film is enlarged.例文帳に追加

レジスト膜の面内膜厚均一性の保証エリア（実パターン形成領域）が拡大されても、所定の保証エリアで所望のレジスト膜の面内膜厚均一性（１００Å以下）を得るマスクブランクの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a mask blank for obtaining uniformity of desired film thickness in a plane of a resist film (≤100Å) in a predetermined critical area, even when the critical area (substantial pattern forming area) for uniformity of film thickness in a plane of a resist film is enlarged.例文帳に追加

レジスト膜の面内膜厚均一性の保証エリア（実パターン形成領域）が拡大されても、所定の保証エリアで所望のレジスト膜の面内膜厚均一性（１００Å以下）を得るマスクブランクの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a pattern layout method capable of efficiently extracting the length or width of a forming part comprising a pattern or area such as critical area out of that pattern.例文帳に追加

パターンの中から、そのパターンを構成する形状部分の長さや幅、あるいはクリティカルエリアなどの領域を効率的に抽出できるパターンレイアウト方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a flash memory cell by which a phenomenon of forming a trench corner site to be thin in thickness by a side wall oxidation process and an active area of a desired critical size.例文帳に追加

側壁酸化工程によってトレンチコーナ部位が薄く形成される現象を防止するとともに、所望の臨界寸法だけの活性領域を確保することが可能なフラッシュメモリセルの製造方法を提供すること。 - 特許庁