crystal growth surfaceとは 意味・読み方・使い方

During the growth of the GaAs compound semiconductor crystal, Cl2H2 is given thermal energy on the grown crystal surface and is thermally decomposed.例文帳に追加

GaAsの成長中、CI_2H_2が成長結晶表面で熱エネルギを与えられて熱分解される。 - 特許庁

METHOD OF MANUFACTURING SURFACE-MODIFIED SINGLE CRYSTAL SiC SUBSTRATE, SINGLE CRYSTAL SiC SUBSTRATE WITH EPITAXIAL GROWTH LAYER, SEMICONDUCTOR CHIP, SEED SUBSTRATE FOR SINGLE CRYSTAL SiC GROWTH, AND POLYCRYSTAL SiC SUBSTRATE WITH SINGLE CRYSTAL GROWTH LAYER例文帳に追加

表面改質単結晶ＳｉＣ基板、エピ成長層付き単結晶ＳｉＣ基板、半導体チップ、単結晶ＳｉＣ成長用種基板及び単結晶成長層付き多結晶ＳｉＣ基板の製造方法 - 特許庁

To provide a method for producing an SiC single crystal by which a unitary single crystal having a flat growth surface can be stably obtained at a high growth rate.例文帳に追加

平坦な成長表面を持つ単一の単結晶が安定して高い成長速度で得られるＳｉＣ単結晶の製造方法を提供する。 - 特許庁

In an apparatus for manufacturing a fluoride single crystal comprising a furnace, a crystal growth crucible set inside the furnace, and a heating means installed around the crystal growth crucible, a means for measuring the position of the crystal growth surface z in the crystal growth crucible is installed.例文帳に追加

炉本体と、炉本体内部に設置された結晶育成るつぼと、該結晶育成るつぼの周囲に配置された加熱手段とを有するフッ化物単結晶の製造装置において、前記結晶育成るつぼ内の結晶成長面位置ｚを計測する手段を備えることを特徴とする。 - 特許庁

The semiconductor crystal 2 is a crystal grown on the crystal growth surface 1a of a crystal growth substrate 1 masked with an ELO mask 3 having so-called dome shaped cross section, and transition 4 extends from about the center of the top of the ELO mask 3 to a crystal growth surface 2a of the semiconductor crystal 2.例文帳に追加

半導体結晶２は所謂ドーム型の断面形状を有するＥＬＯマスク３がマスキングされた結晶成長基板１の結晶成長面１ａ上に成長したものであり、転位４はＥＬＯマスク３の上面略中央から半導体結晶２の結晶成長面２ａまで伸びている。 - 特許庁

By this, the degree of over-saturation of the carbon on the crystal growth surface is raised to generate excessive inter-lattice carbons on the surface in the middle of growth.例文帳に追加

このことで、結晶成長表面の炭素の過飽和度を上げ、成長途中の表面に過剰な格子間炭素を発生させる。 - 特許庁

In the manufacturing method and apparatus of a semiconductor light emitting device, the intensity of scattered light on a growth crystal surface is measured for detecting the roughness on the crystal surface to set crystal growth conditions when performing the crystal growth of a semiconductor on a substrate by the MBE method.例文帳に追加

ＭＢＥ法により基板上に半導体を結晶成長するに際し、成長結晶表面での散乱光の強度を測定して結晶表面の荒れを検知することにより結晶成長条件を設定することを特徴とする半導体発光装置の製造方法およびその製造装置を提供する。 - 特許庁

METHOD FOR CALCULATING SURFACE ENERGY OF IONIC CRYSTAL AND METHOD FOR EVALUATING CRYSTAL GROWTH DIRECTION OF IONIC CRYSTAL例文帳に追加

イオン性結晶の表面エネルギーの計算方法、及びイオン性結晶の結晶成長方向の評価方法 - 特許庁