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Weblio 辞書 > 英和辞典・和英辞典 > 英和専門語辞典 > deformation flow layerの意味・解説 

deformation flow layerとは

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主な意味変形流動層

クロスランゲージ 37分野専門語辞書での「deformation flow layer」の意味

deformation flow layer



「deformation flow layer」の部分一致の例文検索結果

該当件数 : 5



例文

To provide a ground deformation restraining structure dispensing with the management of piping while preventing the movement of a surface layer even when a flow of a liquefied layer occurs.例文帳に追加

液状化層に流動が生じた場合であっても、表層が移動しないようにするとともに、配管の切り回しが不要な地盤変状抑止構造を提供する。 - 特許庁

Then, by performing heat treatment, for example, under a PH_3 atmosphere at 550°C while leaving the cap layer 16, thermal deformation is gradually generated from corner portions of the upper part of the cap layer 16 located around the recesses 17 by mass transport and the cap layer is started to flow into the recesses 17.例文帳に追加

その後、キャップ層16を残したまま、例えば550℃のPH_3雰囲気下で熱処理を行うことにより、マストランスポートにより、凹部17の周囲に位置するキャップ層16の上部の角部から徐々に熱変形し、凹部17内に流れ込み始める。 - 特許庁

In the fuel cell, since a diffusion layer is equipped with an easily elastic site in which elastic deformation is easier than in other site in a corresponding site of a flow passage wall of a separator, the dimensional change in the laminating direction of the cell can be absorbed.例文帳に追加

燃料電池において、拡散層が、セパレータの流路壁の対応部位に他の部位よりも弾性変形が容易な易弾性部位を備えることにより、セルの積層方向の寸法変化を吸収することができる。 - 特許庁

Next, the movement of the optical radiation expands a deformation part of the thin absorption layer 13 in the moving direction F of the optical radiation and formes the embedded micro flow channel 9.例文帳に追加

次いで、光学放射の移動は、光学放射の移動方向Fに薄い吸収層13の変形部を拡張し、埋込みマイクロ流路9を形成する。 - 特許庁

例文

By forming a channel dope or gate oxide film 10 with a sidewall formed on the lateral side of an Si thin film layer 3 and a sidewall 700 formed at its upper end as a mask, deformation of the Si thin film and flow out of channel dope ion are prevented to facilitate accurate forming of the Si thin film and the oxide film to provide the SOI transistor of stable characteristic.例文帳に追加

Si薄膜層3の側面に形成したサイドウォール800と上端部に形成したサイドウォール700をマスクとしてチャネルドープおよびゲート酸化膜10の形成を行うことにより、Si薄膜の変形やチャネルドープイオンの流出を防ぎ、Si薄膜や酸化膜の正確な形成を容易にし、安定した特性のSOIトランジスタを提供することができる。 - 特許庁

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