The p-type high resistance wafer is provided with a resistance rate of not less than 100 Ωcm and whose p/n converting unit due to the generation of the thermal donor in the manufacturing process of the device is in a depth not contacting with a device activating region or a depletion layer region.例文帳に追加

抵抗率が１００Ωｃｍ以上で、デバイスの製造工程でのサーマルドナー発生によるｐ／ｎ反転部が、デバイス活性領域や空乏層領域には接しない深さにあるｐ型の高抵抗ウェーハ。 - 特許庁

To prevent a resource from a depletion state, to secure a resource for an emergency call or a priority call, and to improve the understanding rate of an important call with high priority such as the emergency call and the priority call.例文帳に追加

リソースが枯渇した状態になることを未然に防止して、緊急呼や優先呼のためのリソースを確保し、緊急呼、優先呼等の優先度の高い重要呼の疎通率を向上させる。 - 特許庁

When moving image data encoded by an encoding section and stored in a ring buffer is written in an external storage medium, a write-in bit rate is calculated (a step S21e-5), and time to ring buffer depletion is calculated based on the bit rate (a step S21e-6).例文帳に追加

符号化部によって符号化され、リングバッファに記憶された動画データを外部記憶媒体に書き込む際、書き込みビットレートを計算し（ステップＳ２１ｅ−５）、そのビットレートによってリングバッファ枯渇までの時間を計算する（ステップＳ２１ｅ−６）。 - 特許庁

The interruption risk rate calculating means calculates the service interruption risk rate based on a failure probability of the DHCP server in the segment, a depletion probability in which an allocation remainder of the DHCP server in the segment becomes zero, and a failure probability of a link in the segment.例文帳に追加

停止危険率算出手段は、当該セグメントにおけるＤＨＣＰサーバの故障確率と、当該セグメントにおけるＤＨＣＰサーバの割当残量０となる枯渇確率と、当該セグメントにおけるリンクの故障確率とに基づいて、サービス停止危険率を算出する。 - 特許庁

Therefore, the deterioration of the characteristics of the PMOS transistor is prevented, because not only the activating rate of the p-type impurity injected into the gate electrode 7P of the PMOS transistor is improved by the Ge, but also the formation of a depletion layer in the interface of a gate insulating film is suppressed.例文帳に追加

従って、Ｇｅの存在によりＰＭＯＳトランジスタのゲート電極に注入されたＰ型不純物の活性化率が改善されるのみならず、ゲート絶縁膜の界面での空乏層が抑制され、ＰＭＯＳトランジスタの特性劣化が防止される。 - 特許庁

By the Ge contained in the SiGe film 72, the activation rate of p-type impurities implanted to the gate electrode of the PMOS transistor is improved, and a depletion layer in an interface with a gate electrode 6 is suppressed, and deterioration in characteristics of the PMOS transistor is prevented.例文帳に追加

ＳｉＧｅ膜７２中に含まれるＧｅによってＰＭＯＳトランジスタのゲート電極に注入されたＰ型不純物の活性化率が改善され、ゲート絶縁膜６との界面での空乏層が抑制され、ＰＭＯＳトランジスタの特性劣化が防止される。 - 特許庁

An SOI structure is formed in a part of a semiconductor substrate wherein a fuse element 510 for laser trimming, a pattern 610 for positioning laser trimming, a full depletion high rate MOS transistor 210, and a pleader resistor 410 comprising a plurality of resistors are formed in the SOI structure while a high breakdown strength MOS transistor and an ESD protective element 31 are formed in the semiconductor substrate.例文帳に追加

半導体基板の一部にＳＯＩ構造が形成され、ＳＯＩ構造中に、レーザトリミング用ヒューズ素子５１０と、レーザトリミング位置決め用パターン６１０と、完全空乏型の高速ＭＯＳトランジスタ２１０と、複数の抵抗体によって形成されたプリーダー抵抗４１０とが形成され、半導体基板中に、高耐圧型ＭＯＳトランジスタと、ＥＳＤ保護素子３１とが形成される。 - 特許庁

As explained above, four major items in the manufacturing sector are examined based on the levels of production, capacity utilization rate, and inventory. One of the major reasons for rapid decline in the production of HDDs and transportation machinery, etc. due to the floods can be that production centers*67 producing specific electronics parts intensively in Thailand have been inundated and forced to suspend production, which led to a rapid depletion of inventory.例文帳に追加

以上、製造業の主要品目別の生産・設備稼働率・在庫の各水準につき、主要4 品目を中心に確認したところ、洪水によるHDD や輸送用機械等の生産急減の大きな要因の一つが、特定の電子部品をタイ国内で集中して生産している事業所*67 が浸水し、当事業所が生産停止に追い込まれたことにより、在庫が急速に払底したことにあると考えられる。 - 経済産業省