diffusion-grown layerとは 意味・読み方・使い方

In this manufacturing method, a selective N-type epitaxial layer 13 is grown on a P-type barrier layer, heat treatment is performed, the P-type barrier layer is inverted by impurity diffusion from the selective N-type epitaxial layer, and an N-type inverting layer 14 is formed.例文帳に追加

Ｐ型バリア層上にまず選択Ｎ型エピタキシャル層１３を成長し熱処理を加えて、選択Ｎ型エピタキシャル層からの不純物拡散によりＰ型バリア層を反転させＮ型反転層１４を形成する。 - 特許庁

Of a main back surface side oxide film 42 formed on the main back surface side of the diffusion wafer 7 at the end of diffusion, the remaining part 42b from which a surface layer is removed is used for the automatic doping prevention, and the silicon epitaxial layer 9 is vapor grown on the main surface of the diffusion wafer 7.例文帳に追加

拡散終了時に拡散ウェーハ７の主裏面側に形成されている主裏面側酸化膜４２のうち、表層部を除去した残りの部分４２ｂをオートドープ防止用に用いて、拡散ウェーハ７の主表面上にシリコンエピタキシャル層９を気相成長する。 - 特許庁

A semiconductor crystal comprising an n-type InP buffer layer 2, an undoped GaInAs light-absorbing layer 3, an undoped InP diffusion buffer layer 4 and a p-type InP window layer 5 is successively grown on an n-type InP substrate 1.例文帳に追加

ｎ型ＩｎＰ基板１上に、ｎ型ＩｎＰバッファ層２、アンドープＧａＩｎＡｓ光吸収層３、アンドープＩｎＰ拡散バッファ層４、およびｐ型ＩｎＰ窓層５からなる半導体結晶を順に成長させた。 - 特許庁

Then, a lightly-doped second N-type semiconductor layer 4 is epitaxially grown on such a surface of the layer 2, and the layer 18 having a large diffusion coefficient is embedded therein.例文帳に追加

第１Ｎ型半導体層の一方の表面に低濃度の第２Ｎ型半導体層４をエピタキシャル成長させるとともに，上記拡散係数の大きいＮ型半導体層１８を埋め込む。 - 特許庁

A vertical field effect transistor 40 has an n-Si layer 14 which is epitaxially grown on an n+-silicon substrate 12, a p-base diffusion layer 16 formed on the surface of the n-Si layer and an n+ source diffusion layer 18 formed on the inner side of the p-base diffusion layer on the surface of the n-Si layer.例文帳に追加

本縦型電界効果トランジスタ４０は、ｎ^+ シリコン基板１２上にエピタキシャル成長させたｎ−Ｓｉ層１４と、ｎ−Ｓｉ層の表面部に形成されたｐ−ベース拡散層１６と、ｎ−Ｓｉ層の表面部でｐ−ベース拡散層の内側に形成されたｎ^+ ソース拡散層１８とを備える。 - 特許庁

This allows diffusion of the phosphorus into the p-type silicon substrate and improvement in crystallinity of a semiconductor layer which is grown on a surface of the first semiconductor layer.例文帳に追加

そのため、ｐ型シリコン基板内にリンを拡散させるとともに、第１半導体層の表面に成長させる半導体層の結晶性を向上させることができる。 - 特許庁

By turning off the nitrogen flow during deposition of TaN, a TaN/Ta bilayer is easily grown, which has copper diffusion barrier properties superior to those of a single Ta layer or a single TaN layer.例文帳に追加

ＴａＮの堆積中に窒素流をオフにすることで、ＴａＮ／Ｔａ二重層が容易に成長され、この二重層は、単一Ｔａ層または単一ＴａＮ層よりも優れた銅拡散障壁特性を有する。 - 特許庁

Then, after a p^+-type diffusion layer is formed on the collector region, an SiGe or SiGeC layer 10 is grown only on the one-side wall of the collector region.例文帳に追加

次に、コレクタ領域上部にＰ^+型拡散層を形成した後、コレクタ領域の片側側壁部分にのみＳｉＧｅあるいはＳｉＧｅＣ層１０を成長させる。 - 特許庁