distribution Bragg reflectorとは 意味・読み方・使い方

SEMICONDUCTOR DISTRIBUTION BRAGG REFLECTOR, SURFACE- EMITTING SEMICONDUCTOR LASER, OPTICAL TRANSMISSION MODULE, OPTICAL TRANSMITTER AND RECEIVER MODULE, AND OPTICAL COMMUNICATION SYSTEM例文帳に追加

半導体分布ブラッグ反射鏡、面発光型半導体レーザ並びにこれを用いた光送信モジュール、光送受信モジュール及び光通信システム - 特許庁

To provide a semiconductor distribution Bragg reflector with the number of lamination layers made fewer than that of AlGaAs material especially in wavelength bands shorter than 0.78 μm and suitable for practical use.例文帳に追加

特に０．７８μｍよりも短波長帯においてＡｌＧａＡｓ系材料よりも積層数を少なくでき、実用化に適した半導体分布ブラッグ反射鏡を提供する。 - 特許庁

P-TYPE SEMICONDUCTOR DISTRIBUTION BRAGG REFLECTOR, SURFACE EMITTING ELEMENT, SURFACE EMITTING MONOLITHIC ARRAY, ELECTROPHOTOGRAPH SYSTEM, OPTICAL COMMUNICATION SYSTEM AND OPTICAL INTERCONNECTION SYSTEM例文帳に追加

ｐ型半導体分布ブラッグ反射器および面発光素子および面発光モノリシックアレイおよび電子写真システムおよび光通信システムおよび光インターコネクションシステム - 特許庁

SEMICONDUCTOR DISTRIBUTION BRAGG REFLECTOR, SURFACE LUMINESCENCE TYPE SEMICONDUCTOR LASER, SURFACE LUMINESCENCE TYPE SEMICONDUCTOR LASER ARRAY, OPTICAL COMMUNICATION SYSTEM, OPTICAL WRITE-IN SYSTEM, AND OPTICAL PICK-UP SYSTEM例文帳に追加

半導体分布ブラッグ反射鏡および面発光型半導体レーザおよび面発光型半導体レーザアレイおよび光通信システムおよび光書き込みシステムおよび光ピックアップシステム - 特許庁

SEMICONDUCTOR DISTRIBUTION BRAGG REFLECTOR, SURFACE- EMITTING SEMICONDUCTOR LASER ELEMENT, SURFACE-EMITTING LASER ARRAY, SURFACE-EMITTING LASER MODULE, OPTICAL INTERCONNECTION SYSTEM, AND OPTICAL COMMUNICATION SYSTEM例文帳に追加

半導体分布ブラッグ反射器および面発光半導体レーザ素子および面発光レーザアレイおよび面発光レーザモジュールおよび光インターコネクションシステムおよび光通信システム - 特許庁

A control timing of an electric current value is set to a phase adjustment signal 60, a same directional optical coupler filter adjustment signal 59, and a DBR (distribution Bragg reflector) type filter adjustment signal 61, in that order so that a target wavelength is provided.例文帳に追加

目標波長に一致するように、位相調整信号60、同方向性光結合器フィルタ調整信号59、DBR反射鏡型フィルタ調整信号61の順に、電流値の制御タイミングを設定する。 - 特許庁

A distribution Bragg reflector 3, which reflects light injected at an angle in a prescribed range, and refracts and emits light injected at an angle out of a prescribed range from a side surface, is provided.例文帳に追加

所定の範囲の角度で入射する光を反射し、所定の範囲の角度から外れた角度で入射する光は屈折させて側面から放出する分布ブラッグ反射器３を設けるようにした。 - 特許庁

On an n-GaAs substrate 2, an n-semiconductor distribution Bragg reflector 3 is formed and on it, an n-Ga_xIn_1-xP_yAs_1-y layer 11 with a thickness λ/4 is laminated.例文帳に追加

ｎ−ＧａＡｓ基板２上に、ｎ−半導体分布ブラッグ反射鏡３を形成し、その上にλ／４の厚さのｎ−Ｇａ_ｘＩｎ_１−ｘＰ_ｙＡｓ_１−ｙ層１１を積層した。 - 特許庁