donor bandとは 意味・読み方・使い方

When receiving the service-side signal RS2, the donor-side transmission-reception unit 100 measures the signal level of the service-side signal RS2 at the first frequency band.例文帳に追加

ドナー側送受信部１００は、サービス側信号ＲＳ２を受信した際に、第１周波数帯におけるサービス側信号ＲＳ２の信号レベルを測定する。 - 特許庁

The field-effect transistor has a double heterostructure where a channel layer is formed in which electrons flow is sandwiched between an underground layer of forbidden band bigger than that of the channel layer and an electron donor layer.例文帳に追加

電界効果トランジスタは、電子の流れるチャネル層がチャネル層よりも禁制帯幅の大きな下地層と電子供給層に挟まれた形で形成される、いわゆるダブルヘテロ構造を有している。 - 特許庁

A blood component collecting apparatus comprises a blood component collecting circuit provided with a hollow needle and a plasma collecting bag, etc., and an arm band 7 provided with a bag body to be expanded by the injection of air and used by being wound around the arm of a donor.例文帳に追加

血液成分採取装置は、中空針および血漿採取バッグ等を有する血液成分採取回路と、空気の注入により拡張する袋体を有し、ドナーの腕に巻き付けられて使用される腕帯７とを備えている。 - 特許庁

Each of the fine particles 11 is composed of a fine crystal with a crystal particle diameter of 100 nm or less and has an inter-band luminous function and a donor acceptor pair luminous function.例文帳に追加

各微粒子１１は結晶粒径が１００ｎｍ以下の微結晶により構成されており、バンド間発光機能およびドナーアクセプターペア発光機能を有している。 - 特許庁

For example, when boron is added to a diamond semiconductor thin film 1b of the emitter electrode 1, an acceptor level is present at approximately 5.1 eV from a conduction band and when nitrogen is added to a diamond semiconductor thin film 2b of the collector electrode 2, a donor level is present at approximately 1.7 eV from the conduction band.例文帳に追加

例えば、エミッタ電極１のダイヤモンド半導体薄膜１ｂに対してボロンを添加すると、アクセプタ準位は伝導帯から約５．１ｅＶに存在し、コレクタ電極２のダイヤモンド半導体薄膜２ｂに対して窒素を添加すると、ドナー準位は伝導帯から約１．７ｅＶに存在する。 - 特許庁

A semiconductor material whose band gap is larger than that of a silicon semiconductor is used for a semiconductor material for forming the transistor, and preferably, the concentration of an impurity which serves as a carrier donor of the semiconductor material is reduced, thereby reducing the off-current.例文帳に追加

トランジスタを形成するための半導体材料としてシリコン半導体よりも禁制帯幅（バンドギャップ）の広い半導体材料を用い、好ましくは、かかる半導体材料のキャリア供与体となる不純物の濃度を低減することでオフ電流の低減を図る。 - 特許庁

A semiconductor device has: an AlGaN buffer layer 18 provided on an SiC substrate 10 and that has an acceptor concentration (Na) higher than a donor concentration (Nd); a GaN electron transit layer 14 provided on the AlGaN buffer layer 18; and an AlGaN electron supply layer 16 provided on the GaN electron transit layer 14 and that has a band gap larger than that of GaN.例文帳に追加

本発明は、ＳｉＣ基板１０上に設けられ、アクセプタ濃度（Ｎａ）がドナー濃度（Ｎｄ）以上の濃度であるＡｌＧａＮバッファ層１８と、ＡｌＧａＮバッファ層１８上に設けられたＧａＮ電子走行層１４と、ＧａＮ電子走行層１４上に設けられ、ＧａＮよりもバンドギャップが大きいＡｌＧａＮ電子供給層１６と、を有する半導体装置である。 - 特許庁