drain‐to‐source resistanceの英語

To provide a vertical MOSFET, wherein a drain to source capacitance and a drain to gate capacitance are reduced with any affect on either breakdown voltage or on-resistance restrained to the minimum.例文帳に追加

耐圧及びオン抵抗への影響を抑えて、ドレイン・ソース間の容量及びドレイン・ゲート間の容量を低減した縦型ＭＯＳＦＥＴ実現する。 - 特許庁

Because of the concave-convex structure 6, the on-resistance (here is to be set to R) is reduced, the capacitance between the drain-to-source (C) in the concave part 11 recessed lower than the flat surface is optimized, and the product CR can be reduced.例文帳に追加

凹凸構造６により、オン抵抗（Ｒとする）が低減され、平面状態より凹んでいる凹部１１におけるドレインソース間容量（Ｃとする）が最適化されＣＲ積を低減できる。 - 特許庁

To provide an improvement of the productivity, and a reduction of the product of multiplication of the on-resistance and a junction capacitance between the drain-to-source using a simple configuration, in a semiconductor device forming a horizontal MISFET and the method for producing the same.例文帳に追加

横型のＭＩＳＦＥＴを形成して成る半導体装置およびその製造方法において、簡単な構成により、生産性の向上、およびオン抵抗とドレインソース間の接合静電容量の積の低減を図る。 - 特許庁