electron-beam induced currentとは 意味・読み方・使い方

The sample current includes a current induced by the radiation of an electron beam.例文帳に追加

試料電流は、電子線照射により誘起された電流を含む。 - 特許庁

A current induced in the sample 5 by this irradiated electron beam 2 flows through the sample 5 to generate a magnetic field in the exterior space of the sample 5.例文帳に追加

この照射された電子ビーム２により試料５に励起される電流が試料５内を流れることで試料５の外部空間に磁場が形成される。 - 特許庁

The shot magnification etc., of an exposure system 21 is corrected by measuring the superimposing accuracy between the lower-layer pattern and an upper-layer pattern in a chip area, by measuring the patterns by using an evaluation device 11 utilizing a substrate current signal induced when an electron beam is projected upon an overlay mark.例文帳に追加

重ね合わせマークに電子ビームを照射したときに誘起される基板電流信号を利用した評価装置１１を用いて、チップエリアの下層パターンと上層パターンを測定することで重ね合わせ精度を測定し、露光装置２１のショット倍率等を補正する。 - 特許庁

A semiconductor device inspection apparatus for measuring a current being induced in a semiconductor device by irradiating it with an electron beam comprises a means for comparing the waveform of a measured current with a preset standard waveform, and a means for discriminating a fault in the semiconductor device inspection apparatus from a fault in the inspection area of a semiconductor device based on the comparison results of the comparing means.例文帳に追加

電子ビームを半導体デバイスに照射してそのときに半導体デバイスに生じる電流を測定する半導体デバイス検査装置において、前記測定された電流の波形をあらかじめ設定された標準波形と比較する手段と、前記比較する手段の比較結果から半導体デバイス検査装置の異常か半導体デバイスの検査領域の異常かを識別する手段とを有することを特徴とする。 - 特許庁

A semiconductor device inspection apparatus, which measures a current being induced in a semiconductor device when the semiconductor device is irradiated with an electron beam, includes: a means for comparing the waveform of a measured current with a preset standard waveform; and a means for discriminating between a fault in the semiconductor device inspection apparatus and a fault in the inspection area of a semiconductor device on the basis of the comparison results provided by the comparing means.例文帳に追加

電子ビームを半導体デバイスに照射してそのときに半導体デバイスに生じる電流を測定する半導体デバイス検査装置において、前記測定された電流の波形をあらかじめ設定された標準波形と比較する手段と、前記比較する手段の比較結果から半導体デバイス検査装置の異常か半導体デバイスの検査領域の異常かを識別する手段とを有することを特徴とする。 - 特許庁