element breakdownとは 意味・読み方・使い方

To give a semiconductor element for electric power a high breakdown strength.例文帳に追加

電力用の半導体素子を高耐圧化させる。 - 特許庁

To provide a semiconductor element with high breakdown voltage.例文帳に追加

高耐圧な半導体素子を提供することを目的とする。 - 特許庁

HIGH BREAKDOWN VOLTAGE PLANAR LIGHT-RECEIVING ELEMENT, AND BIDIRECTIONAL PHOTOTHYRISTOR ELEMENT例文帳に追加

高耐圧プレーナ型受光素子および双方向フォトサイリスタ素子 - 特許庁

To provide a semiconductor device including a deep trench film in accordance with inter-element breakdown voltage and in-element breakdown voltage required for an element to be formed.例文帳に追加

形成する素子に要求される素子間耐圧や素子内部耐圧に応じたディープトレンチ膜を有する半導体装置を提供する。 - 特許庁

The breakdown voltage of the element region is set lower than the breakdown voltage (a breakdown voltage line 29) of the peripheral voltage-resistant region by applying a negative voltage to the trench gate electrode, and the breakdown voltage of the element region is measured.例文帳に追加

トレンチゲート電極に負の電圧を印加することによって、素子領域の耐圧を周辺耐圧領域の耐圧（耐圧直線２９）よりも低くし、素子領域の耐圧を測定する。 - 特許庁

The element 6 is the protective element for the electrostatic breakdown voltage for protecting the element 3 from static electricity.例文帳に追加

素子６は素子３を静電気から保護する静電耐圧用保護素子である。 - 特許庁

A breakdown voltage of the second LDMOS element 4 is lower than a breakdown voltage of the first LDMOS element 1.例文帳に追加

このとき、第２ＬＤＭＯＳ素子４の絶縁破壊電圧は、第１ＬＤＭＯＳ素子１の絶縁破壊電圧より低い。 - 特許庁

The breakdown value of the rectifier element 28 is set not less than the breakdown strength of the switch element 18.例文帳に追加

整流素子２８のブレークダウン値がスイッチング素子１８の耐圧値に等しいかそれ以上である。 - 特許庁