epitaxial thin filmsとは 意味・読み方・使い方

To provide a quartz thin film capable of forming a plurality of planoconvex-shaped quartz epitaxial thin films in the growth of a quartz epitaxial thin film under atmospheric pressure; and to provide a method for producing the same.例文帳に追加

本発明の目的は、大気圧下での水晶エピタキシャル薄膜の育成において多数個のプラノコンベックス形の水晶エピタキシャル薄膜を作る水晶薄膜、及びその製造方法を提供すること。 - 特許庁

In an embodiment, a system and a method for epitaxial thin film formation are provided, including a system and a method for forming binary compound epitaxial thin films.例文帳に追加

実施態様において、二成分化合物のエピタキシャル薄膜を形成するためのシステムと方法を含むエピタキシャル薄膜形成ためのシステムと方法が提供されている。 - 特許庁

To provide a process for depositing yttrium oxide and lanthanum oxide thin films by an ALE (atomic layer epitaxial growth) process.例文帳に追加

ＡＬＥプロセスによって酸化イットリウム薄膜および酸化ランタン薄膜を堆積させるための方法を提供すること。 - 特許庁

The semiconductor device further includes the individual wiring layers 106 of the thin films formed on a region from above the LEDs 105 of the LED epitaxial film 104 to the terminal regions 107a of the Si substrate 101, via the surface of the LED epitaxial film 104 to electrically connect the LEDs 105 to the terminal regions 107a of the Si substrate 101.例文帳に追加

半導体装置はさらに、ＬＥＤエピタキシャルフィルム１０４のＬＥＤ１０５上からＬＥＤエピタキシャルフィルム１０４の表面を経てＳｉ基板１０１の端子領域１０７ａに至る領域に形成され、ＬＥＤ１０５とＳｉ基板１０１の端子領域１０７ａとを電気的に接続する薄膜の個別配線層１０６を有する。 - 特許庁

The method and the system according to an embodiment of the invention may be used to form direct bandgap semiconducting binary compound epitaxial thin films, such as, for example, GaN, InN and AlN, and mixed alloys of these compounds, e.g., (In, Ga)N, (Al, Ga)N, (In, Ga, Al)N.例文帳に追加

本発明の実施形態の方法とシステムは、例えば、ＧａＮ、ＩｎＮおよびＡｌＮ、ならびにこれらの化合物の混合合金、例えば、（Ｉｎ， Ｇａ）Ｎ、（Ａｌ， Ｇａ）Ｎ、（Ｉｎ， Ｇａ， Ａｌ）Ｎのような直接の禁止帯半導体二元素化合物エピタキシャル薄膜形成のために用いられる。 - 特許庁

In a crystal semiconductor substrate 1, on which a thin film 2 made of constituting elements different from those of the semiconductor which is provided with grid-shaped grooves 3 in which the surface of the substrate 1 is exposed, is formed, semiconductor net-shaped films 4 are selectively grown in the grooves by gas phase epitaxial method.例文帳に追加

結晶半導体基体１にこの半導体とは異なる構成元素からなり、かつ前記基体表面が露出する格子状の溝３を有する薄膜２が形成されている基板の、前記溝内に選択的に半導体網状膜４を気相エピタキシャル法で成長させる。 - 特許庁

The semiconductor composite device includes a substrate 101, a metal layer 102 formed on the surface of the substrate 101, a sheet-like LED epitaxial film 103 adhered onto the metal layer 102, and sheet-like integrated circuit thin films 104 adhered onto the surface of the substrate 101.例文帳に追加

半導体複合装置は、基板１０１と、基板１０１の表面に形成されたメタル層１０２と、メタル層１０２上に貼り付けられたシート状のＬＥＤエピタキシャルフィルム１０３と、基板１０１の表面に貼り付けられたシート状の集積回路薄膜１０４とを有する。 - 特許庁