evaporated silicon filmとは 意味・読み方・使い方

A stopper film (for example, an undoped silicon film and/or oxide film) is evaporated to control the dopant to be diffused out of a doped silicon film.例文帳に追加

阻止膜（例えば、ドーピングされないシリコン膜及び／又は酸化膜）を蒸着して、ドーピングされたシリコン膜から外部に拡散されるドーパントを制御する。 - 特許庁

In forming the film on the collector, the collector and the thin film material containing silicon are placed in inert gas which is adjusted in an atmospheric pressure of 0.01Pa to 1Pa and the thin film material is melted and evaporated and the thin film containing silicon is formed on the collector.例文帳に追加

集電体に薄膜を形成する際に、集電体とシリコンを含有する薄膜原料とを、0.01Pa〜1Paの雰囲気圧力に調節した不活性ガス中に配置するとともに、薄膜原料を溶融して蒸発させて、集電体上にシリコンを含む薄膜を形成する。 - 特許庁

This manufacturing method includes forming the thin film containing silicon oxide which is formed of a vapor-deposition material, on the surface to be film-formed of the substrate, by irradiating the vapor-deposition material containing silicon, which has been evaporated from an evaporation source, with Ar plasma generated by a plasma gun of which the output is in a range of 3-12 KW.例文帳に追加

蒸発源から蒸発させた珪素を含む蒸着材料に向けて、プラズマガンにより出力が３ＫＷから１２ＫＷの範囲内でＡｒプラズマを照射して、基材の被成膜面に上記蒸着材料よりなる酸化珪素を含む薄膜を成膜する。 - 特許庁

After an n-type Si layer is epitaxially grown, the silicon oxide film 3 is first evaporated in the formation area A of the high-speed HBT and it is removed therefrom, and then the n-type Si layer is grown.例文帳に追加

その後Ｎ型Ｓｉ層をエピタキシャル成長させると、高速用ＨＢＴの形成領域Ａではまずシリコン酸化膜３の蒸発が起こり除去されてからＮ型Ｓｉ層が成長する。 - 特許庁

By a molecular beam epitaxial method, a IV group semiconductor 5 (Si, Ge) and a metal 6 are evaporated on a very thin oxide film 2 formed on a silicon substrate 1 by the molecular beam epitaxial method to form nanometer-size fine crystals (nano-dots) of a silicon compound semiconductor at an ultrahigh density, thus obtaining a semiconductor device.例文帳に追加

シリコン基板１に形成した極薄酸化膜２上に分子線エピタキシャル法を用いてＩＶ族半導体５（Ｓｉ、Ｇｅ）と金属６を蒸着することで、シリコン系化合物半導体のナノメーターサイズの微結晶（ナノドット）３を超高密度に形成して、半導体デバイスを得る。 - 特許庁

A liquefied impurity source 3, composed of a mixture of aluminum, boron, and an organic solvent, is coated on the silicon oxide film 2, and this is heated at temperatures lower than the diffusion temperatures of aluminum, and the organic solvent is evaporated to form a layer containing aluminum and boron.例文帳に追加

シリコン酸化膜２の上にアルミニウムとホウ素と有機溶剤との混合物から成る液状不純物源３を塗布し、これをアルミニウムの拡散温度よりも低い温度で加熱して有機溶剤を蒸発させてアルミニウムとホウ素を含む層を形成する。 - 特許庁

Moisture in the vacuum chamber 1 becomes water vapor, and hydrogen and oxygen float in the atmosphere as their degradation products, but, silicon evaporated from the second vapor deposition source 20 is bonded with oxygen floating at the inside of the vacuum chamber 1 so as to be consumed, is converted into silicon dioxide as a film deposition material, and is stuck to the substrate 2.例文帳に追加

真空チャンバ１内の水分が水蒸気となり、かつそれらの分解生成物として水素と酸素とが雰囲気中に浮遊するが、第２の蒸着源２０から蒸発したケイ素は真空チャンバ１の内部に浮遊している酸素と結合することにより消費され、成膜物質である二酸化ケイ素に変換されて基板２に付着する。 - 特許庁