expressed capacitanceとは 意味・読み方・使い方

Thus, the gain of the switched capacitor amplifier circuit 1 is expressed as (Ca+Cx)/(Ca-Cx), where Ca is the static capacitance of the negative feedback capacitors 6p, 6m and Cx is the static capacitance of the positive feedback capacitors 12p, 12m respectively, so as to increase the gain without much increasing the ratio of the static capacitances.例文帳に追加

これにより、スイッチトキャパシタ増幅回路１のゲインは、負帰還用キャパシタ６ｐ・６ｍ並びに正帰還用キャパシタ１２ｐ・１２ｍの静電容量を、Ｃａ、Ｃｘとすると、（Ｃａ＋Ｃ）／（Ｃａ−Ｃｘ）となり、静電容量比を余り増大させることなく、ゲインを増大させることができる。 - 特許庁

1.25≤X (1), wherein X is an actual electricity capacity ratio expressed by B/A, A is actual capacitance (mAh) at 25°C per an area 1cm^2 of the positive electrode 3, and B is actual capacitance (mAh) at 25°C per an area 1 cm^2 of the negative electrode 4.例文帳に追加

１．２５≦Ｘ （１） 但し、Ｘは（Ｂ／Ａ）で表される実電気容量比で、Ａは前記正極３の面積１ｃｍ^2当りの２５℃での実電気容量（ｍＡｈ）で、Ｂは前記負極４の面積１ｃｍ^2当りの２５℃での実電気容量（ｍＡｈ）である。 - 特許庁

The capacitor which has a lower electrode 1, the capacitance insulating film 2 on the lower electrode 1, and an upper electrode 3 on the capacitance insulating film 2 uses, as the capacitance insulating film 2, a film obtained by adding to a TiO_2 film Zr or Al with a uniform distribution of ≤40% in atomic number ratio expressed by (Zr or Al)/(Zr or Al)+Ti.例文帳に追加

下部電極１と、下部電極１上の容量絶縁膜２と、容量絶縁膜２上の上部電極３とを備えるキャパシタにおいて、容量絶縁膜２として、ＴｉＯ_２膜にＺｒ又はＡｌが（Ｚｒ又はＡｌ）／（（Ｚｒ又はＡｌ）＋Ｔｉ）で表される原子数比で４０％以下の濃度で均等に分布して添加された膜を使用する。 - 特許庁

The reference voltages are weighted for the bits of the digital input and coefficients of the transfer function are expressed by the capacitance ratios of the capacitors.例文帳に追加

ここで、リファレンス電圧は、デジタル入力の各々のビットに対して重み付けされ、なおかつ伝達関数の係数がキャパシタの容量比で表されている。 - 特許庁

Thus, a "time constant" expressed by a multiplication of wiring resistance R and wiring capacitance C can be made small enough and rising or falling speed of a signal can be accelerated, thereby allowing more rapid signal transmission.例文帳に追加

これにより、本発明では、配線抵抗Ｒと配線容量Ｃの掛け算で表される「時定数」を充分に小さくすることができ、信号の立ち上がり又は立下りの速度を上げることができるため、より高速な信号伝送を行うことができる。 - 特許庁

The capacitance film 142 is constituted of a metal compound film having a composition expressed by MO_xC_yN_z, where x, y, and z satisfy 0<x, 0.1≤y≤1.25, 0.01≤z, and x+y+z=2, and M contains Hf and/or Zr.例文帳に追加

容量膜１４２を、式ＭＯ_ｘＣ_ｙＮ_ｚ（但し、ｘ、ｙ、ｚは、０＜ｘ、０．１≦ｙ≦１．２５、０．０１≦ｚ、ｘ＋ｙ＋ｚ＝２を満たす。Ｍは、少なくともＨｆまたはＺｒを含む。）で表される組成を有する金属化合物膜により構成する。 - 特許庁

When making ΔVW1, ΔVW2 represent the drain voltage variations caused by the parasitic capacitance in the corresponding transistor, the voltage of the source drive signal VS0 is expressed by (VW1+ΔVW1) and the maximum value by (VW2+ΔVW2) in the same cycle.例文帳に追加

ここで、対応するトランジスタの寄生容量によるドレイン電圧変動量をΔＶＷ１，ΔＶＷ２とするとき、ソース駆動信号ＶＳ０の電圧は、同一周期で（ＶＷ１＋ΔＶＷ１）および最大値の（ＶＷ２＋ΔＶＷ２）とされる。 - 特許庁