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主な意味f電子

クロスランゲージ 37分野専門語辞書での「f electrons」の意味

f electrons



「f electrons」の部分一致の例文検索結果

該当件数 : 15



例文

The X-ray generating device 1 determines whether the filament F is a LaB_6 filament or a Ta filament under the conditions that electrons are emitted when the filament F is the LaB_6 filament and that the electrons are not emitted when the filament F is the Ta filament.例文帳に追加

X線発生装置1では、フィラメントFがLaB_6フィラメントである場合には電子が放出され、且つフィラメントFがTaフィラメントである場合には電子が放出されない条件下で、フィラメントFがLaB_6フィラメントであるかTaフィラメントであるかが判定される。 - 特許庁

An X-ray generator has a cathode 2 for generating electrons; a rotary anticathode 4, which has a cylindrical electron collision face and whose area, in which the electrons collide with the electron collision face, serves as an X-ray focus F; and a Wehnelt electrode 7 for applying an electric field E to the electrons emitted from the cathode 2.例文帳に追加

電子を発生する陰極2と、円筒形状の電子衝突面を有しており電子が電子衝突面に衝突した領域がX線焦点Fとなる回転対陰極4と、陰極2から出た電子に電界Eを付与するウエネルト電極7とを有するX線発生装置である。 - 特許庁

The emitter 6 can continuously emit the electrons by a memory function of the flip-flop circuit F.例文帳に追加

フリップフロップ回路Fのメモリ機能により、エミッタ6に対して、連続的な電子の放出を行わせることができる。 - 特許庁

At this time, the electrons e formed by the irradiation with the microwaves reacts chemically with the C4F6 and the C-F bonds of C4F6 are dissociated, by which fluorine F is formed.例文帳に追加

このとき、マイクロ波の照射により生成される電子eがC_4F_6に対して化学反応し、C_4F_6のC−F結合が解離してフッ素Fが生成される。 - 特許庁

It is possible to continuously emit the electrons without inputting a signal to the emitter 6 and to decrease a signal quantity of an input signal to emit the electrons by a memory function of the flip-flop circuit F.例文帳に追加

フリップフロップ回路Fのメモリ機能により、エミッタ6に対して信号を入力することなく連続的に電子の放出を行わせることができると共に、電子放出を行わせるための入力信号の信号量を低減することが可能となる。 - 特許庁

By thus making the peak in the low temperature region relatively smaller than the peak in the high temperature region, an F center of added Tb electrons becomes stable, and energy transition is hard to occur from the F center to the ground state with the passage of time.例文帳に追加

このように、低温領域のピークを高温領域のピークよりも相対的に小さくすると、添加したTb電子のFセンタが安定したものとなり、時間経過に伴うFセンタからの基底状態へのエネルギー遷移が生じにくくなる。 - 特許庁

例文

An X-ray generator 1 generates X-rays from an X-ray focus F, which is a region, in which electrons emitted from a filament 11 collides with a rotating anticathode 4.例文帳に追加

フィラメント11から出た電子が回転対陰極4に衝突する領域であるX線焦点FからX線を発生するX線発生装置1である。 - 特許庁

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「f electrons」の部分一致の例文検索結果

該当件数 : 15



例文

A voltage that is negative to an anode 8 is applied to the intermediate cylindrical electrode 7 by an acceleration power source 10 to jet out electrons in the plasma F from the electron beam passage hole 11 and accelerate them toward the anode 6.例文帳に追加

加速電源10により中間円筒電極7に陽極8に対し負の電圧を印加し、プラズマ中の電子を電子線通過口11から噴射させ陽極に向かって加速させる。 - 特許庁

When a lamp current increases as the supply voltage to the discharge lamp La increases, and when enough electrons are emitted from a filament F only with the lamp current, a switching element Q3 is turned off.例文帳に追加

放電ランプLaへの供給電力を増加させることに伴ってランプ電流は増加し、ランプ電流のみでフィラメントFから十分な電子が放出されるようになった場合にはスイッチング素子Q3をオフさせる。 - 特許庁

Hereupon, the flow of the electrons in the film of the barrier insulation layer 6 is subjected to a Fowler-Nordheim(F-N) tunnel-current mechanism or a direct tunnel-current mechanism.例文帳に追加

ここで、バリア絶縁層6の膜中の電子の流れは、Fowler Nordheim(F−N)トンネル電流あるいは直接トンネル電流機構となる。 - 特許庁

In the spin device 1, since a sub-tunnel barrier wall F blocks the flow of electrons flowing from a non-magnetic metal layer D to a ferroelectric layer E and having a specific polarized spin, spin magnetic moments of electrons of the specific polarized spin to be absorbed in a free layer C increases, the magnetization direction of the free layer C by spin implantation at a low current can be controlled.例文帳に追加

スピンデバイス1においては、副トンネル障壁Fが、非磁性金属層Dから強磁性層Eに流れる特定の偏極スピンを有する電子の流れを阻止するため、フリー層C内で吸収される特定の偏極スピンの電子のスピン磁気モーメントが増加し、低電流でのスピン注入によるフリー層Cの磁化の向きの制御を行うことが可能となる。 - 特許庁

In the formula 1, α=(B×F×E)/(W×V), B: electrode projection area (cm^2), F: Faraday constant (=96484C/mol), E: number of electrons generated for active material 1 mol, W: mol number of the product generated for active material 1 mol, and V: ideal gas mol volume (=22414 ml/mol).例文帳に追加

1≦αX/I≦10 ・・・(式1)(式1において、α=(B×F×E)/(W×V)である。)B:電極投影面積(cm^2)、F:ファラデー定数(=96484C/mol)、E:活物質1molに対して発生する電子数、W:活物質1molに対して生成する生成物のmol数、V:理想気体モル体積(=22414ml/mol) - 特許庁

The solid electrolyte film 16 is set up to be in a wet condition by properly moving generated water generated at an oxidizing gas passage F side to a fuel gas passage T side while a pressure difference between the pressure of oxidizing gas and the pressure of fuel gas is enlarged, and movements of electrons from a cathode side to an anode side in power generation are properly performed.例文帳に追加

酸化ガスの圧力と燃料ガスの圧力との圧力差を大きくして、酸化ガス流路F側に生成された生成水を燃料ガス流路T側に適正に移動させて、固体電解質膜16を湿潤状態とし、発電時の電子のカソード側からアノード側への移動を適正に行う。 - 特許庁

A protective layer 242 comprising at least one of magnesium oxide, aluminum oxide, and spinel is produced by a method selected from among a plasma CVD method, a sputtering method, and an ion plating method while applying a negative bias voltage to a front panel 20, and in a crystal structure of the protective layer 242, oxygen defectives (F-centers) where two free electrons are trapped are formed.例文帳に追加

負のバイアス電圧をフロントパネル20に印加しつつ、プラズマCVD法、スパッタ法、イオンプレーティング法から選択した方法により酸化マグネシウム、酸化アルミニウム、スピネルのうち1種類以上よりなる保護層242を作製し、当該保護層242の結晶構造中に2個の自由電子がトラップされた酸素欠陥(F中心)を形成する。 - 特許庁

例文

The operation of the memory array is thereby programmed by a method for injecting holes generated by the avalanche phenomenon into multi-dielectric layers of respective memory cells and performed by a method for injecting electrons existing in channels through F-N tunneling into the multi-dielectric layers of respective cells at the time of erasing.例文帳に追加

従って、メモリアレイの動作は、前記アバランシュ現象により生成されたホールを各メモリセルの多重誘電層に注入させる方式でプログラムし、イレース時にはF−Nトンネルリングによりチャンネルにある電子を前記各セルの多重誘電層に注入させる方式で行うことになる。 - 特許庁

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